[發明專利]一種免切割的柔性砷化鎵太陽電池及其制作方法

有效

• 申請號: 202110169244.2
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN112510122B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 肖祖峰;丁亮;丁杰;何鍵華;黃嘉敬
• 申請（專利權）人: 中山德華芯片技術有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 伍傳松

1.一種免切割的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S100、在砷化鎵襯底上生長一外延層；

S200、在所述外延層上制備作為正電極的柔性襯底；

S300、剝離去除所述砷化鎵襯底，得到帶有所述柔性襯底的外延層薄膜；

S400、在所述柔性襯底上背向所述外延層的一面貼合一臨時剛性襯底；

S500、在所述外延層薄膜剝離所述砷化鎵襯底的一面制備至少兩個間隔設置的負電極；

S600、在所述負電極的周圍制備減反射膜，且相鄰兩個所述負電極周圍的減反射膜之間預留有未覆蓋減反射膜的分割區，所述分割區與芯片尺寸要求一致；

S700、在所述負電極及減反射膜上覆蓋光刻膠；

S800、根據芯片尺寸要求將分割區的外延層及柔性襯底腐蝕，并去除光刻膠;

S900、去除所述臨時剛性襯底，制得柔性砷化鎵太陽電池。

2.根據權利要求1所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S100中的外延層為依次生長在所述砷化鎵襯底上的AlAs犧牲層、GaInP頂電池、中頂隧穿結、GaAs中電池、中底隧穿結、InGaAs底電池。

3.根據權利要求2所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S200中的柔性襯底為位于所述InGaAs底電池上的金屬襯底，該金屬襯底由Pd、Cu組成。

4.根據權利要求2所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S300中剝離去除所述砷化鎵襯底通過浸入HF溶液中，將所述AlAs犧牲層腐蝕掉，以使所述砷化鎵襯底脫落。

5.根據權利要求2所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S800中分別采用由鹽酸、氫溴酸、重鉻酸鉀、乙酸組成的混合溶液將所述分割區的GaInP頂電池、中頂隧穿結、GaAs中電池、中底隧穿結、InGaAs底電池腐蝕掉，以及采用王水和Cu蝕刻液浸泡將所述分割區的柔性襯底腐蝕掉。

6.根據權利要求1所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S400中貼合所述臨時剛性襯底是通過耐酸堿的雙面熱解膠，雙面熱解膠的兩面分別貼合柔性襯底和所述臨時剛性襯底。

7.根據權利要求6所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S900中通過加熱所述臨時剛性襯底使所述柔性襯底從所述雙面熱解膠上脫落。

8.根據權利要求1所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S500中的負電極采用光刻、金屬蒸鍍、撕金去膠的方法制作而成。

9.根據權利要求1所述的柔性砷化鎵太陽電池制作方法，其特征在于：所述步驟S600中的減反射膜采用光刻、TiO2/Al2O3 蒸鍍、去膠的方法制作而成。