[發明專利]一種三色探測器及其制作方法有效
| 申請號： | 202110168698.8 | 申請日： | 2021-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN112928178B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 黃珊珊;黃輝廉;劉恒昌;高熙隆;楊文奕 | 申請（專利權）人： | 中山德華芯片技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/101 | 分類號： | H01L31/101;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 伍傳松 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三色 探測器 及其 制作方法 | ||
1.一種三色探測器，其特征在于，包括依次層疊設置的：
GaN襯底；
AlGaN子探測器，所述AlGaN子探測器與所述GaN襯底之間設置有第一緩沖層；
InGaAs子探測器，與所述AlGaN子探測器之間通過鍵合層連接；
InGaNAs子探測器，與所述InGaAs子探測器之間設置有隧穿結，所述InGaNAs子探測器上設置有第二緩沖層。
2.根據權利要求1所述的三色探測器，其特征在于：所述InGaAs子探測器采用In0.53Ga0.47As材料。
3.根據權利要求1所述的三色探測器，其特征在于：所述AlGaN子探測器、InGaAs子探測器、InGaNAs子探測器皆包括n型摻雜層、i型吸收層、p型摻雜層。
4.根據權利要求1所述的三色探測器，其特征在于：所述鍵合層由設置在AlGaN子探測器上表面的第一鍵合層與設置在InGaAs子探測器下表面的第二鍵合層鍵合而成。
5.一種三色探測器制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
S100、在GaN襯底上依次正裝生長的第一緩沖層、AlGaN子探測器、第一鍵合層；
S200、在InP襯底依次倒裝生長的第二緩沖層、InGaNAs 子探測器、隧穿結、InGaAs子探測器、第二鍵合層；
S300、將所述第一鍵合層與第二鍵合層鍵合；
S400、移除所述InP襯底。
6.根據權利要求5所述的三色探測器制作方法，其特征在于：所述InGaAs子探測器采用In0.53Ga0.47As材料。
7.根據權利要求5所述的三色探測器制作方法，其特征在于：所述AlGaN子探測器、InGaAs子探測器、InGaNAs子探測器皆包括n型摻雜層、i型吸收層、p型摻雜層。
8.根據權利要求5所述的三色探測器制作方法，其特征在于，所述第一緩沖層、AlGaN子探測器、第一鍵合層、第二緩沖層、InGaNAs 子探測器、隧穿結、InGaAs子探測器、第二鍵合層的外延過程為晶格匹配生長。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山德華芯片技術有限公司，未經中山德華芯片技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110168698.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種多孔氮化硼材料的制備方法和在乙炔水合反應中的應用
- 下一篇：顯示設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
