[發(fā)明專利]柔性半導(dǎo)體薄膜的轉(zhuǎn)印方法、裝置及液滴印章

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110168584.3
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN113147202B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮雪;李海成;陳穎
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);浙江清華柔性電子技術(shù)研究院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B41K1/38
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種柔性半導(dǎo)體薄膜的轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，所述方法包括：

在印章承載體的第一區(qū)域上形成第一液滴，得到液滴印章；

控制所述液滴印章靠近柔性半導(dǎo)體薄膜，以利用所述液滴印章上的第一液滴在所述柔性半導(dǎo)體薄膜與所述印章承載體之間形成第一液橋；

移動(dòng)所述液滴印章，并利用所述第一液橋?qū)⑺鋈嵝园雽?dǎo)體薄膜吸附到所述液滴印章上；

在柔性襯底的第二區(qū)域上形成第二液滴；

控制所述液滴印章靠近所述第二液滴，以利用所述柔性襯底上的第二液滴在所述柔性襯底和所述柔性半導(dǎo)體薄膜之間形成第二液橋；

移動(dòng)所述液滴印章，利用所述第二液橋?qū)⑺鋈嵝园雽?dǎo)體薄膜吸附到所述柔性襯底上、并使所述柔性半導(dǎo)體薄膜與所述液滴印章分離，完成所述柔性半導(dǎo)體薄膜的轉(zhuǎn)印，

其中，所述柔性半導(dǎo)體薄膜與所述印章承載體之間因所述第一液橋產(chǎn)生的第一吸附力，小于所述柔性半導(dǎo)體薄膜與所述柔性襯底之間因所述第二液橋產(chǎn)生的第二吸附力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在完成所述柔性半導(dǎo)體薄膜的轉(zhuǎn)印后，對所述柔性襯底和所述柔性半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行處理，以去除所述柔性襯底和所述柔性半導(dǎo)體薄膜上的殘留液體；

對所述柔性半導(dǎo)體薄膜和所述柔性襯底進(jìn)行封裝，

其中，所述殘留液體包括所述第一液滴中的部分液體和所述第二液滴中的液體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一液滴與所述第二液滴的材料相同時(shí)，所述第一液橋的高度大于所述第二液橋的高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在柔性襯底的第二區(qū)域上形成第二液滴之前，在所述柔性襯底上形成電極和導(dǎo)線，其中，所述電極與所述導(dǎo)線相連，所述電極位于所述第二區(qū)域內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對半導(dǎo)體器件進(jìn)行減薄處理，形成所述柔性半導(dǎo)體薄膜，所述柔性半導(dǎo)體薄膜的厚度為0.05μm～10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在印章承載體上滴入第一液滴形成液滴印章，包括：

在所述印章承載體上制備第一固定部件，形成第一區(qū)域；

在所述第一區(qū)域上形成所述第一液滴，形成所述液滴印章。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一固定部件的形狀包括環(huán)狀或?qū)悠瑺睿?/p>

其中，在所述第一固定部件的形狀為環(huán)狀時(shí)，所述印章承載體的表面被所述第一固定部件所圍繞的區(qū)域?yàn)樗龅谝粎^(qū)域，所述第一固定部件的材料包括疏水性材料，所述印章承載體的材料包括親水性材料；

在所述第一固定部件的形狀為層片狀時(shí)，所述第一固定部件的表面為所述第一區(qū)域，所述第一固定部件的材料包括親水性材料，所述印章承載體的材料包括疏水性材料。