[發明專利]一種半導體結構的制造方法在審
| 申請號： | 202110168137.8 | 申請日： | 2021-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN114864482A | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 高龍哲;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京知迪知識產權代理有限公司 11628 | 代理人： | 王勝利 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 制造 方法 | ||
1.一種半導體結構的制造方法，應用于半導體處理腔室，其特征在于，所述方法包括：
提供一半導體基底，所述半導體基底包括電極層，以及形成在所述電極層上的接觸孔結構，其中，所述接觸孔結構中的接觸孔的縱橫比滿足第一預設條件，所述接觸孔結構中的接觸孔的直徑滿足第二預設條件；
利用感應耦合等離子體對所述接觸孔進行處理，以去除所述接觸孔內的絕緣雜質。
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第第一預設條件為所述接觸孔的縱橫比大于或等于20，小于或等于100。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第第二預設條件為所述接觸孔的直徑小于或等于20nm。
4.根據權利要求1-3任一項所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，
所述利用感應耦合等離子體對所述接觸孔進行處理，以去除所述接觸孔內的絕緣雜質包括：
在預設偏置電壓下，利用所述感應耦合等離子體對所述接觸孔進行處理，以去除所述接觸孔內的絕緣雜質。
5.根據權利要求4所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述預設偏置電壓的范圍為10W-100W。
6.根據權利要求1-3任一項所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述感應耦合等離子體的反應氣體包括溴化氫氣體。
7.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述感應耦合等離子體的反應氣體還包括氧氣和/或氦氣。
8.根據權利要求1-3任一項所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述接觸孔結構包括接觸孔以及至少形成在相鄰接觸孔之間的氧化物層。
9.根據權利要求1-3任一項所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述電極層為氮化鈦層或氮化鉭層。
10.根據權利要求1-3任一項所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在利用等離子體對所述接觸孔進行處理，以去除所述接觸孔內的煙氣和聚合物之后，所述半導體結構的制造方法還包括：
至少在所述等離子體處理后所述接觸孔結構上淀積多晶硅材料，以使所述多晶硅材料至少填滿所述接觸孔。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司，未經中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110168137.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電容器電極、電容器及其制備方法
- 下一篇：一種多功效私密凝膠丸
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
