[發明專利]具有連接結構的半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110167991.2
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN113284877A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一第一半導體結構；以及

一第一連接結構，包括一第一連接隔離層、多個第一連接接觸點以及多個第一支撐接觸點，該第一連接隔離層位于該第一半導體結構上，該多個第一連接接觸點位于該第一連接隔離層中，該多個第一支撐接觸點位于該第一連接隔離層中；

其中該第一連接隔離層的一上表面、該多個第一連接接觸點的上表面以及該多個第一支撐接觸點的上表面大致共面；

其中該多個第一連接接觸點的下表面接觸該第一半導體結構的一上表面。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該多個第一連接接觸點具有一厚度，大于該多個第一支撐接觸點的一厚度。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一半導體結構包括一第一基底以及一第一內連接結構，該第一基底位于該第一連接結構下，該第一內連接結構位于該第一基底與該第一連接結構之間，其中該第一連接隔離層位于該第一內連接結構上。

4.如權利要求3所述的半導體元件，其中該第一內連接結構包括一第一隔離層以及多個第一導電特征，該第一隔離層位于該第一基底上，該多個第一導電特征位于該第一隔離層中，其中該多個第一連接接觸點的下表面接觸該多個第一導電特征的上表面，而該多個第一導電特征的上表面與該第一隔離層的一上表面為共面。

5.如權利要求4所述的半導體元件，還包括一第二半導體結構，位于該第一連接結構上，其中該多個第一連接接觸點的上表面接觸該第二半導體結構的一下表面。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中該第二半導體結構包括一第二內連接結構以及一第二基底，該第二內連接結構位于該第一連接結構上，該第二基底位于該第二內連接結構上，其中該第二內連接結構包括一第二隔離層以及多個第二導電特征，該第二隔離層位于該第一連接結構上，該多個第二導電特征位于該第二隔離層中，其中該多個第一連接接觸點的上表面接觸該多個第二導電特征的下表面，而該多個第二導電特征的下表面與該第二隔離層的一下表面為共面。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第二內連接結構包括多個保護環，位于該第二隔離層中，其中該多個保護環的下表面接觸該多個第一支撐接觸點的上表面。

8.如權利要求7所述的半導體元件，還包括多個第一襯墊，位于該多個第一連接接觸點的側壁上，并位于該多個第一連接接觸點下表面上。

9.如權利要求7所述的半導體元件，還包括一第一多孔層，位于該第一連接隔離層與該第二隔離層之間、該第一連接隔離層與該多個第一連接接觸點之間，以及該第一連接隔離層與該多個第一支撐接觸點之間，其中該第一多孔層的一孔隙率介于大約25％到大約100％之間。

10.如權利要求9所述的半導體元件，還包括多個第一襯墊，位于該第一多孔層與該多個第一連接接觸點之間以及在該第一多孔層與所述多個第一支撐接觸點之間。

11.如權利要求10所述的半導體元件，還包括一貫穿基底通孔，位于該第二基底中。

12.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第一連接隔離層包括一第一下隔離層、一第一中間隔離層以及一第一上隔離層，該第一下隔離層位于該第一半導體結構的該上表面上，該第一中間隔離層位于該第一下隔離層上，該第一上隔離層位于該第一中間隔離層上，其中該多個第一連接接觸點穿過該第一下隔離層、該第一中間隔離層以及該第一上隔離層，且該多個第一支撐接觸點位于該第一上隔離層中。