[發明專利]一種掩膜板及其制作方法在審
| 申請號: | 202110166568.0 | 申請日: | 2021-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN112859512A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發明(設計)人: | 錢超;余洋;黃斌;植啟東 | 申請(專利權)人: | 南京深光科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64;G03F1/68;G03F9/00 |
| 代理公司: | 南京行高知識產權代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
| 地址: | 210038 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一種掩膜板,包括掩膜板本體(1)和掩膜板邊框(2)和掩膜板基底(3),所述掩膜板基底(3)層疊在掩膜板本體(1)的背部,其特征在于,所述掩膜板基底(3)與掩膜板本體(1)粘合,所述掩膜板本體(1)的側邊嵌合有貼條(4),所述掩膜板本體(1)通過貼條(4)與掩膜板邊框(2)粘合;
所述掩膜板邊框(2)上分有第一準備區(5)和第二準備區(6),所述第一準備區(5)和第二準備區(6)長度大于其寬度,所述第一準備區(5)和第二準備區(6)上刻有校準圖形。
2.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板本體(1)包含三層,分別是中間層(7)、襯底層(8)及導電層(9),所述中間層(7)、襯底層(8)及導電層(9)依次疊加,所述中間層(7)頂部有覆蓋層(10),所述覆蓋層(10)厚度2.0-3.5nm,所述導電層(9)為60.0-90.0nm。
3.根據權利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述中間層(7)為35-45層片板組成,所述片板為Mo-Si材質,所述中間層(7)的總厚度控制于24.8nm-32.0nm。
4.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述貼條(4)嵌合于掩膜板本體(1)側邊的中心處,并圍繞掩膜板本體(1)整體邊緣設置。
5.根據權利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一準備區(5)和第二準備區(6)寬度比例為2:1。
6.根據權利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述校準圖形為多個校準點組,每個所述校準點組包括兩個校準點,所述校準點深度為1.0-2.0nm。
7.一種掩膜板的制作方法,應用于權利要求1-6任一項所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,組合連接:將掩膜板本體(1)平鋪并進行夾持,夾持位置位于其最底部,在將掩膜板邊框(2)從上至下逐漸與掩膜板本體(1)貼合對齊,通過貼條(4)進行焊接粘合;
S2,壓緊平整:將S1中掩膜板本體(1)和掩膜板邊框(2)的貼合整體的上端面進行壓緊平整對齊;
S3,模板拼合:將掩膜板本體(1)與電鑄模板對接并涂設消融材料層,隨后再對該消融材料層進行持續曝光,后再進行電鑄;
S4,拆分:將S3中的電鑄層與電鑄模板上分離得到掩膜板。
8.根據權利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述電鑄模板內設置有陰極片和陽極片,所述陰極片和陽極片上設有封閉模組,所述封閉模組上開設有多個通電孔,所述通電孔呈突出的錐孔狀,所述通電孔分置于封閉模組的上下兩端邊緣。
9.根據權利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述持續曝光時間1-3s,曝光次數為1-3次。
10.根據權利要求8所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,兩組所述封閉模組上的通電孔位置相同且相互對應,錐狀通電孔的小孔徑與大孔徑比值為1:3。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





