[發明專利]光刻設備和操作光刻設備的方法

在審

• 申請號: 202110161152.X
• 申請日: 2016-09-30
• 公開（公告）號: CN112965341A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 金原淳一;H·巴特勒;P·C·H·德威特;E·A·F·范德帕斯奇
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

一種操作光刻設備的方法，該光刻設備包括：投影系統，配置成提供曝光輻射，用以使在投影系統下方的襯底形成圖案；第一平臺，配置成支撐第―襯底；第二平臺，配置成支撐第二襯底；和第三平臺，容納包括傳感器和清潔裝置中的至少一個的部件；其中，該方法包括：在開始襯底交換操作之后開始曝光前爭奪掃掠操作；其中，在曝光前爭奪掃掠操作期間，第三平臺移動遠離投影系統的下方，而第二平臺移動到投影系統的下方；其中，在襯底交換操作期間，從第一平臺卸載第一襯底。

本申請是申請日為2016年09月30日、發明名稱為“光刻設備和操作光刻設備的方法”、申請號為201680079692.0的專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年11月20日遞交的歐洲申請15195532.5和2016年2月24日遞交的歐洲申請16157155.9的優先權，這些歐洲申請的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明涉及一種光刻設備和一種操作光刻設備的方法。

背景技術

光刻設備為將所期望的圖案施加到襯底上(通常施加到襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可替代地被稱作掩模或掩模版的圖案形成裝置可以用于產生待形成于IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉印到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如，包括管芯的一部分、一個或幾個管芯)上。通常，通過將圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案的轉印。通常，單個襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括所謂的步進器和所謂的掃描器；在步進器中，通過將整個圖案一次曝光到目標部分上來輻射每一個目標部分；在掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。另外，能夠通過將圖案壓印到襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉印到襯底上。

已經提出在光刻投影設備中將襯底浸入具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統的最終元件與襯底之間的空間。在實施例中，所述液體是蒸餾水，盡管可以使用其它液體。將參考液體來描述本發明的實施例。然而，其它流體可能是合適的，特別是濕潤流體、不可壓縮流體和/或折射率高于空氣的折射率(期望地高于水的折射率)的流體。除了氣體以外的流體是尤其期望的。其的關鍵點是實現使更小特征成像，這是因為曝光輻射在液體中將具有較短的波長。(液體的作用也可以被認為是增加了系統的有效數值孔徑(NA)并且也增加了焦深。)已經提出了其它浸沒液體，包括懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米顆粒懸浮液(例如最大尺寸高達10納米的顆粒)的液體。懸浮顆粒可以具有或者可以不具有與懸浮有該顆粒的液體的折射率相似或相同的折射率。可能合適的其它液體包括烴，諸如芳香族、氟代烴和/或水溶液。

將襯底或襯底和支撐臺浸入液體浴中(參見例如美國專利No.4,509,852)的意思是存在在掃描曝光期間必須被加速的大量的液體。這需要額外的或更強大的馬達，并且液體中的湍流可能導致不期望的和不可預測的效果。

在浸沒設備中，浸沒流體由流體處理系統、裝置結構或設備處理。在實施例中，流體處理系統可以供應浸沒流體，并且因此該流體處理系統可以是流體供應系統。在實施例中，流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體，并且因此該流體處理系統可以是流體限制系統。在實施例中，流體處理系統可以提供對浸沒流體的阻擋，并且因此該流體處理系統可以是阻擋構件，諸如流體限制結構。在實施例中，流體處理系統可以產生或使用氣流，例如以幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成用于限制浸沒流體的密封，因此，流體處理結構可以被稱作密封構件；該密封構件可以是流體限制結構。在實施例中，將浸沒液體用作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。在參考前述描述的情況下，在本段中對相對于流體所限定的特征的參考可以被理解為包括相對于液體所限定的特征。