[發明專利]一種無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊

在審

• 申請號: 202110160268.1
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN112736049A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 言錦春;姚禮軍
• 申請（專利權）人: 上海道之科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/488;H01L25/07
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳琦;陳繼亮

1.一種無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，包括IGBT模塊本體，其特征在于：所述IGBT模塊本體主要包括相對設置的上絕緣基板、下絕緣基板及設置在兩絕緣基板間的端子和芯片部分，所述上絕緣基板和下絕緣基板均包括陶瓷絕緣層及設置在陶瓷絕緣層上下外表面的第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層包括金屬導電層及附著在金屬導電層上的絕緣阻焊層，所述絕緣阻焊層用于控制上絕緣基板和下絕緣基板的焊接區域范圍；所述端子和芯片部分均通過焊料錫焊焊接在兩絕緣基板第二金屬層之間的金屬導電層上，各芯片部分之間、各芯片部分與兩絕緣基板相應的導電層之間、以及兩絕緣基板的導電層與各端子之間均通過焊料錫焊焊接以進行電氣連接。

2.根據權利要求1所述的無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于：所述芯片部分為雙面可焊接芯片部分，所述上絕緣基板與下絕緣基板之間的空隙區域均填充有用于提高各原器件之間耐壓絕緣性能的絕緣凝膠。

3.根據權利要求2所述的無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于：所述端子分布于IGBT模塊本體寬度方向的兩側邊上，所述端子包括功率端子和信號端子，且所述功率端子和信號端子均為柔性結構，端子靠近兩絕緣基板的一側設置有絕緣保護膜，絕緣保護膜的材質為聚酰亞胺薄膜。

4.根據權利要求2或3所述的無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于：所述上絕緣基板和下絕緣基板的第一金屬層和第二金屬層均為裸露或電鍍有一層可焊接金屬材料。

5.根據權利要求4所述的無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于：所述芯片部分與上絕緣基板和下絕緣基板間均通過焊接方式連接，所述焊接采用SnPb,SnAg, SnAgCu,PbSnAg含Sn焊接材料之一，焊接最高溫度在100°到400°之間。

6.根據權利要求4所述的無引線鍵合的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于：所述端子為銅或銀，端子表層為裸露或電鍍有一層可焊接金屬材料，端子通過錫焊焊接在上絕緣基板和下絕緣基板的導電層之間，所述的焊接采用SnPb,SnAg, SnAgCu,PbSnAg含Sn焊接材料之一，焊接最高溫度在100°到400°之間。