[發明專利]一種藍光鈣鈦礦發光二極管及其制備方法有效
| 申請號: | 202110159273.0 | 申請日: | 2021-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN112993177B | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發明(設計)人: | 王磊;臧越;薛啟帆;葉軒立 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 齊鍵 |
| 地址: | 511458 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 藍光鈣鈦礦 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種藍光鈣鈦礦發光二極管,包含藍光鈣鈦礦發光層,其特征在于:所述藍光鈣鈦礦發光層的組成包括CsBr、PbBr2、異丁胺氫溴酸鹽和1-苯基雙胍鹽酸鹽;所述CsBr、PbBr2、異丁胺氫溴酸鹽、1-苯基雙胍鹽酸鹽的摩爾比為1:1:0.6~1.4:0.6~1.4;所述異丁胺氫溴酸鹽和1-苯基雙胍鹽酸鹽的物質的量之和、PbBr2的物質的量兩者的比為1.0:1~1.4:1。
2.根據權利要求1所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述藍光鈣鈦礦發光二極管的組成結構包括自下而上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、藍光鈣鈦礦發光層、電子傳輸層和陰極層。
3.根據權利要求2所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述陽極層為ITO基板、IZO基板、FTO基板中的一種。
4.根據權利要求2所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述空穴傳輸層為PEDOT:PSS層。
5.根據權利要求2所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述電子傳輸層的組成包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯層和氟化鋰層。
6.根據權利要求2所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述陰極層由金屬單質、合金、金屬氧化物中的一種組成。
7.根據權利要求2所述的藍光鈣鈦礦發光二極管,其特征在于:所述空穴傳輸層的厚度為10nm~50nm;所述藍光鈣鈦礦發光層的厚度為20nm~100nm;所述電子傳輸層的厚度為21nm~41.5nm;所述陰極層的厚度為80nm~100nm。
8.權利要求2~7中任意一項所述的藍光鈣鈦礦發光二極管的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)將PEDOT:PSS溶液涂覆在陽極層上,形成空穴傳輸層;
2)將含CsBr、PbBr2、異丁胺氫溴酸鹽和1-苯基雙胍鹽酸鹽的溶液涂覆在空穴傳輸層上,形成藍光鈣鈦礦發光層;
3)將電子傳輸層和陰極層依次蒸鍍在藍光鈣鈦礦發光層上,即得藍光鈣鈦礦發光二極管。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





