[發明專利]半密閉共晶貼片裝置及共晶貼片方法

有效

• 申請號: 202110158487.6
• 申請日: 2021-02-04
• 公開（公告）號: CN112992730B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 熊化兵;李金龍
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李鐵

1.一種半密閉共晶貼片裝置，其特征在于，包括：

半密閉腔體；

加熱臺，設置在所述半密閉腔體中；

真空吸取設備，至少包括吸頭桿和吸頭，所述吸頭設置在所述吸頭桿上，所述吸頭遠離所述吸頭桿的一端為吸附端，所述吸附端上設有吸附孔，且至少在所述吸附端的邊緣位置處，所述吸附孔的開口沿著所述吸附端到所述吸頭桿的方向逐漸收縮；

自動識別設備，能自動識別出管殼、焊料及芯片并反饋給所述真空吸取設備；

其中，所述吸附孔可用于推動所述芯片進行水平橫向摩擦，在推動所述芯片進行水平橫向摩擦時，所述吸頭的吸附端與所述芯片無緊密接觸且所述吸附孔的下端面不脫離所述芯片的上表面。

2.根據權利要求1所述的半密閉共晶貼片裝置，其特征在于，所述半密閉腔體的頂部設有開口，所述半密閉腔體的底部設有與外界連通的第一管道。

3.根據權利要求1或2所述的半密閉共晶貼片裝置，其特征在于，所述吸頭桿內部設有第二管道，所述第二管道與所述吸附孔連通；所述吸頭桿包括剛性吸頭桿，所述吸頭包括剛性吸頭。

4.根據權利要求1所述的半密閉共晶貼片裝置，其特征在于，所述吸頭桿的運動控制部分在所述吸附端到所述吸頭桿的方向上具有±5μm的精細運動控制能力。

5.根據權利要求1所述的半密閉共晶貼片裝置，其特征在于，所述吸頭至少包括：喇叭型吸頭。

6.一種共晶貼片方法，其特征在于，包括步驟：

提供半密閉共晶貼片裝置，所述半密閉共晶貼片裝置包括半密閉腔體、加熱臺及真空吸取設備，所述加熱臺設置在所述半密閉腔體中，所述真空吸取設備至少包括吸頭桿和吸頭，所述吸頭設置在所述吸頭桿上，所述吸頭遠離所述吸頭桿的一端為吸附端，所述吸頭的吸附端上設有吸附孔，且至少在所述吸附端的邊緣位置處，所述吸附孔的開口沿著所述吸附端到所述吸頭桿的方向逐漸收縮；

拾取管殼并將其放置于所述加熱臺上，拾取焊料并將其放置于所述管殼上；

利用所述吸頭拾取芯片并將其放置于所述焊料上，而后，抬升所述吸頭使得所述吸頭的吸附端與所述芯片無緊密接觸且所述吸附孔的下端面不脫離所述芯片的上表面；

對所述加熱臺進行加熱，利用所述吸附孔推動所述芯片進行水平橫向摩擦。

7.根據權利要求6所述的共晶貼片方法，其特征在于，所述共晶貼片方法還包括步驟：

在共晶貼片過程中，持續通入氮氣，所述氮氣的流速≥25L/min。

8.根據權利要求6或7所述的共晶貼片方法，其特征在于，利用所述吸頭拾取所述芯片并將其放置于所述焊料上的步驟包括：

利用所述吸頭真空吸取所述芯片；

移動所述吸頭，攜帶所述芯片進入所述半密閉腔體并向所述焊料下降靠近；

通過所述吸頭進行接觸檢測，當所述焊料對所述吸頭的作用力達到2N時停止所述吸頭的下降移動，其中，N為所述芯片的重力。

9.根據權利要求8所述的共晶貼片方法，其特征在于，在利用所述吸頭拾取所述芯片并將其放置于所述焊料上之后，抬升所述吸頭的步驟包括：

對所述吸頭釋放真空；

將所述吸頭豎直向上抬升20μm-40μm，使得所述吸頭的吸附端與所述芯片無緊密接觸且所述吸附孔的下端面不脫離所述芯片的上表面。

10.根據權利要求9所述的共晶貼片方法，其特征在于，利用所述吸附孔推動所述芯片進行水平橫向摩擦時，摩擦運動的軌跡為矩形，摩擦運動的幅度為0.1mm-0.5mm，摩擦1圈至2圈后再回到貼片中心位置，其中，摩擦運動的幅度可根據所述焊料的流散程度需求進行調節控制。