[發明專利]具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底及其加工方法有效
| 申請號: | 202110153096.5 | 申請日: | 2021-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN112992653B | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 趙見國;楊旻薈;曹錫哲;施江熠;王孟璇;田澄睿;顧浚哲 | 申請(專利權)人: | 南京信息工程大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 南京匯盛專利商標事務所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 張立榮 |
| 地址: | 210044 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 對稱 周期 結構 iii 氮化物 復合 襯底 及其 加工 方法 | ||
1.一種具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:
包括藍寶石襯底(101),所述藍寶石襯底上表面設置有圖形(102),所述圖形(102)沿方向1按周期T1、沿方向2按周期T2間隔規律排布,所述方向1和方向2相互垂直,其中周期T1不等于周期T2,所述藍寶石襯底(101)的取向為{1-102}或{1-100}晶向族中的一個;所述藍寶石襯底上表面非圖形區域設置介質層(103)。
2.根據權利要求1所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:當藍寶石襯底(101)的取向為{1-102}時,方向1平行于藍寶石襯底的[-1101]方向,方向2平行于藍寶石襯底的[11-20]方向,周期T1為2.545×C1×CM1,周期T2為:4.71×M1×CM1,其中2.491nm≤C1≤2.847nm,其中5.39nm≤M1≤6.119nm,且16nm≤CM1≤104nm;
當藍寶石襯底(101)的取向為{1-100}時,方向1平行于藍寶石襯底的[0001]方向,方向2平行于藍寶石襯底的[11-20]方向,周期T1為6.496×C2×CA1:周期T2為:4.758×A2×CA1,其中5.39nm≤C2≤6.119nm,其中4.542nm≤A2≤5.172nm,且5nm≤CA1≤75nm。
3.根據權利要求1所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:
所述圖形(102)采用與藍寶石襯底(101)同取向的藍寶石材料;
所述圖形(102)采用臺體或柱體,高度為0.1~2μm,上表面面積不小于下表面面積的20%,
所述圖形(102)下表面沿方向1線度范圍為0.1×T1~0.9×T1,所述圖形(102)沿方向2線度范圍為0.1×T2~0.9×T2。
4.根據權利要求3所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:所述介質層(103)的厚度不小于圖形高度的50%,且不大于圖形(102)高度的100%,所述介質層(103)的材質為氧化硅或氮化硅材料。
5.根據權利要求1所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:
所述圖形(102)采用氧化硅或氮化硅;
所述圖形(102)采用臺體、柱體、椎體、半球體或半橢球體中的一種,高度為5~2000nm;
所述圖形(102)沿方向1線度范圍為0.1×T1~0.9×T1,沿方向2線度范圍為0.1×T2~0.9×T2。
6.根據權利要求5所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:所述介質層(103)的厚度大于圖形(102)的高度,所述介質層(103)的材質為AlN或GaN或InN或AlN、GaN、InN的三元和四元合金。
7.根據權利要求1、2、5或6所述的具有非對稱周期結構的III族氮化物復合襯底,其特征在于:
當藍寶石襯底(101)的取向為{1-102}時,介質層(103)的取向為{11-20};
當藍寶石襯底(101)的取向為{1-100}時,介質層(103)的取向為{11-22}。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





