[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202110152297.3
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN112967998A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 楊維;袁廣才;寧策;盧鑫泓;周天民
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

1.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，所述顯示基板包括位于顯示區的低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物半導體薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第一有源層、第一電極及第二電極；所述氧化物半導體薄膜晶體管包括第二有源層、第三電極及第四電極；所述制備方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成所述第一有源層；

在所述第一有源層上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第二有源層；

在所述第二有源層上形成第二絕緣層，所述第二有源層的刻蝕選擇比大于所述第一絕緣層的刻蝕選擇比；

對所述第一絕緣層與所述第二絕緣層進行刻蝕，同時形成第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔及第四接觸孔；所述第一接觸孔與所述第二接觸孔貫穿所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，且分別暴露部分所述第一有源層；所述第三接觸孔與所述第四接觸孔貫穿所述第二絕緣層，且分別暴露部分所述第二有源層；

形成第一電極、第二電極、第三電極及第四電極，所述第一電極部分位于所述第一接觸孔內且與所述第一有源層接觸，所述第二電極部分位于所述第二接觸孔內且與所述第一有源層接觸；所述第三電極部分位于所述第三接觸孔內且與所述第二有源層接觸，所述第四電極部分位于所述第四接觸孔內且與所述第二有源層接觸；

形成顯示膜層。

2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述第二有源層的材料為多晶金屬氧化物半導體；或者所述第二有源層包括層疊設置的兩層或兩層以上的子膜層，所述第二有源層與所述第二絕緣層接觸的子膜層的材料為多晶金屬氧化物半導體。

3.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述第二有源層的材料為多晶金屬氧化物半導體時，所述第二有源層的厚度范圍為10nm～100nm；所述第二有源層包括兩層或兩層以上的子膜層時，所述第二有源層與所述第二絕緣層接觸的子膜層的厚度范圍為10nm～100nm。

4.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述顯示基板還包括綁定區及鄰接所述綁定區與所述顯示區的彎折區，所述顯示基板的制備方法還包括：

形成位于所述彎折區的開孔，所述開孔未貫穿所述襯底，所述綁定區可通過所述彎折區彎折至所述襯底背離所述第一絕緣層的一側；

所述形成位于所述彎折區的開孔的步驟、與所述對所述第一絕緣層與所述第二絕緣層進行刻蝕，同時形成第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔及第四接觸孔的步驟同步進行。

5.根據權利要求4所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述開孔貫穿所述第一絕緣層與所述第二絕緣層。

6.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括顯示區；所述顯示基板包括襯底、低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導體薄膜晶體管、第一絕緣層及第二絕緣層；

所述低溫多晶硅薄膜晶體管與所述氧化物半導體薄膜晶體管位于所述顯示區，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括第一有源層、第一電極及第二電極；所述氧化物半導體薄膜晶體管包括第二有源層、第三電極及第四電極；所述第二有源層的刻蝕選擇比大于所述第一絕緣層的刻蝕選擇比；

所述第一絕緣層位于所述第一有源層上，所述第二有源層位于所述第一絕緣層上，所述第二絕緣層位于所述第二有源層上；所述顯示基板還設有貫穿所述第一絕緣層及所述第二絕緣層且暴露部分所述第一有源層的第一接觸孔和第二接觸孔、貫穿所述第一絕緣層且暴露部分所述第二有源層的第三接觸孔和第四接觸孔；所述第一電極部分位于所述第一接觸孔內且與所述第一有源層接觸，所述第二電極部分位于所述第二接觸孔內且與所述第一有源層接觸；所述第三電極部分位于所述第三接觸孔內且與所述第二有源層接觸，所述第四電極部分位于所述第四接觸孔內且與所述第二有源層接觸；所述顯示膜層位于所述第一電極上。