[發(fā)明專(zhuān)利]一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110150812.4
• 申請(qǐng)日: 2021-02-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112466933B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁家貴;何云;馬平;黃艷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/423
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底中形成溝槽；

在所述溝槽的下部分中形成屏蔽電極，并在所述屏蔽電極上形成隔離層；

在所述溝槽的上部分中形成柵氧化層，包括：執(zhí)行熱氧化工藝，以在所述溝槽暴露出的側(cè)壁上形成熱氧化層，所述熱氧化層其底部位置的厚度小于底部位置之上的其他位置的厚度；以及，執(zhí)行低壓沉積工藝以形成沉積氧化層，所述沉積氧化層覆蓋所述熱氧化層、所述隔離層、以及所述熱氧化層和所述隔離層相接的拐角位置；以及，

在所述溝槽的上部分中填充柵電極。

2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，執(zhí)行低壓沉積工藝以形成沉積氧化層的方法包括：利用正硅酸乙酯作為硅源，執(zhí)行所述低壓沉積工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，在執(zhí)行所述低壓沉積工藝之后，還包括：執(zhí)行熱處理工藝，以致密所述沉積氧化層。

4.如權(quán)利要求1所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，以小于500 ?的厚度為目標(biāo)厚度執(zhí)行熱氧化工藝以制備所述熱氧化層，和/或，以大于100 ?的厚度為目標(biāo)厚度執(zhí)行低壓沉積工藝以形成所述沉積氧化層。

5.如權(quán)利要求1所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述熱氧化層和所述沉積氧化層在高于拐角位置的厚度總和小于600 ?。

6.如權(quán)利要求1所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述襯底中形成體區(qū)，所述體區(qū)的側(cè)邊界擴(kuò)展至溝槽側(cè)壁，以及所述體區(qū)的離子濃度為9E12atoms/cm³~1.1E13 atoms/cm³。

7.一種屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有溝槽；

屏蔽電極，形成在所述溝槽的下部分中；

隔離層，形成在所述屏蔽電極上；

柵氧化層，形成在所述溝槽的上部分中，其中所述柵氧化層包括熱氧化層和沉積氧化層，所述熱氧化層形成在所述溝槽的上部分側(cè)壁上，并且所述熱氧化層其底部位置的厚度小于底部位置之上的其他位置的厚度，所述沉積氧化層覆蓋所述熱氧化層、所述隔離層、以及所述熱氧化層和所述隔離層相接的拐角位置；以及，

柵電極，填充在所述溝槽的上部分中。

8.如權(quán)利要求7所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述熱氧化層在高于拐角位置的厚度小于500 ?，和/或，所述沉積氧化層的厚度大于100 ?。

9.如權(quán)利要求7所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述熱氧化層和所述沉積氧化層在高于拐角位置的厚度總和小于600 ?。

10.如權(quán)利要求7所述的屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述屏蔽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓小于等于2V。