[發明專利]用于電磁輻射的探測器和制造其的方法

在審

• 申請號: 202110147712.6
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN113281802A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 薩拉·多伊梅爾;桑德羅·弗朗切斯科·泰德;朱迪斯·伊麗莎白·許爾德勒
• 申請（專利權）人: 西門子醫療有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01T1/20;G01T1/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;支娜

1.一種用于電磁輻射的探測器，尤其是X射線探測器和/或伽馬射線探測器，所述探測器包括：

-像素化的第一電極層，所述像素化的第一電極層包括多個電極像素以及在各個電極像素之間的中間空間，

-第二電極，和

-包含至少一種第一鈣鈦礦的第一層，所述第一層位于所述像素化的第一電極層和所述第二電極之間，

還包括如下結構，所述結構至少部分地位于所述像素化的第一電極層和所述第二電極之間，并且至少部分地設置在所述像素化的第一電極層的各個電極像素之間，使得所述結構至少部分地背離所述第一電極層沿朝向第二電極的方向設置在各個像素電極之間的中間空間上，其中包含至少一種第一鈣鈦礦的層至少部分地引入所述結構中。

2.根據權利要求1所述的用于電磁輻射的探測器，

其中包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層中的所述至少一種第一鈣鈦礦至少部分地再結晶。

3.根據權利要求1或2所述的用于電磁輻射的探測器，

其中包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層至少填充所述結構。

4.根據上述權利要求中任一項所述的用于電磁輻射的探測器，

還包括包含至少一種第二鈣鈦礦的第二層，所述第二層位于包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層與所述第二電極之間，和/或還包括包含至少一種閃爍體的第三層，所述第三層位于包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層和所述第二電極之間。

5.根據權利要求4所述的用于電磁輻射的探測器，

包括包含至少一種第二鈣鈦礦的所述第二層，其中所述至少一種第二鈣鈦礦至少部分地不進行再結晶。

6.根據上述權利要求中任一項所述的用于電磁輻射的探測器，

還包括電子傳導層和/或空穴傳導層，所述電子傳導層和/或空穴傳導層位于所述像素化的第一電極層和所述第二電極之間。

7.根據上述權利要求中任一項所述的用于電磁輻射的探測器，

還包括基板，在所述基板上存在所述像素化的第一電極層，其中所述基板優選具有多個晶體管，其中進一步優選地，至少一個晶體管分別接觸所述像素化的第一電極層的電極像素。

8.一種用于制造用于電磁輻射的探測器的方法，所述探測器尤其是X射線探測器和/或伽馬射線探測器，所述方法包括：

-提供像素化的第一電極層，所述像素化的第一電極層包括多個電極像素以及在各個電極像素之間的中間空間；

-將結構至少部分地施加到所述第一像素化的第一電極層的中間空間上，其中將所述結構施加為，使得所述結構至少部分地背離所述第一電極層設置在各個電極像素之間的中間空間上；

-將包含至少一種第一鈣鈦礦的第一層引入所述結構中；和

-將第二電極施加到所述結構和/或包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層上；或者

-提供結構，其中所述結構具有中間空間；

-將多個電極像素引入所述結構的中間空間之間，其中所述電極像素并不填充所述結構，進而形成像素化的第一電極層；

-將包含至少一種第一鈣鈦礦的第一層引入所述結構中；和

-將第二電極施加到所述結構和/或包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層上。

9.根據權利要求8所述的方法，

其中引入包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層包括所述至少一種第一鈣鈦礦至少部分地再結晶。

10.根據權利要求8或9所述的方法，

其中至少所述結構由包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層填充。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的方法，

其中將包含至少一種第二鈣鈦礦的第二層和/或包含至少一種閃爍體的第三層施加到包含至少一種第一鈣鈦礦的所述第一層上。