[發明專利]陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 202110147331.8
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN112928134B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 湯富雄;龔帆;艾飛;宋繼越
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/32;G06F3/042;G06V40/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王紅紅

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

開關元件，設置在所述襯底基板上，所述開關元件包括第一半導體，所述第一半導體設置在所述襯底基板上；以及

感光元件，與所述開關元件相鄰設置在所述襯底基板上，所述感光元件包括第二半導體和感光電極，所述第二半導體與所述第一半導體相連且同層設置，所述感光電極設置在所述第二半導體遠離所述襯底基板的一側，且與所述第二半導體連接；所述感光電極與所述第二半導體形成肖特基結；

所述陣列基板還包括薄膜晶體管層，所述開關元件和所述感光元件均設置在所述薄膜晶體管層中，所述薄膜晶體管層包括：

半導體層，設置在所述襯底基板上，所述半導體層包括所述第一半導體和所述第二半導體；

柵絕緣層，設置在所述半導體層上；

柵極層，設置在所述柵絕緣層上；

層間絕緣層，設置在所述柵絕緣層和所述柵極層上；

源漏電極層，設置在所述層間絕緣層上；

平坦層，設置在所述源漏電極層和所述層間絕緣層上，所述平坦層具有第二過孔，所述第二過孔貫穿所述平坦層，并暴露出所述層間絕緣層遠離所述襯底基板的一側；

鈍化層，設置在所述平坦層上，所述鈍化層具有第三過孔，所述第三過孔貫穿所述鈍化層，并通過所述第二過孔延伸至所述第二半導體遠離所述襯底基板的一側，所述第二過孔的孔徑大于所述第三過孔的孔徑，且所述鈍化層覆蓋所述第二過孔的內側壁；所述感光電極設置在所述鈍化層上，并通過所述第三過孔與所述第二半導體連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二半導體為本征型半導體或者N型半導體。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一半導體包括沿水平方向依次設置在所述襯底基板上的第一摻雜部、第二摻雜部、溝道部、第三摻雜部以及第四摻雜部，所述第四摻雜部和所述第二半導體連接；

其中，所述第一摻雜部和所述第四摻雜部均為N型重摻雜，所述第二摻雜部、所述第三摻雜部以及所述第二半導體均為N型輕摻雜。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述開關元件還包括柵極和輸入電極；

所述柵極層包括所述柵極，所述層間絕緣層具有第一過孔，所述第一過孔貫穿所述層間絕緣層并延伸至所述第一半導體遠離所述襯底基板的一側，所述源漏電極層包括所述輸入電極，所述輸入電極通過所述第一過孔與所述第一半導體層連接。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層還包括：

公共電極層，設置在所述平坦層靠近所述鈍化層的一側。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括像素電極層，所述像素電極層設置在所述鈍化層上；

其中，所述感光電極和所述像素電極層同層設置。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏電極層包括源極、漏極、觸控電極以及指紋信號電極，所述公共電極層包括觸控走線和第一電極，所述像素電極層包括像素電極、第二電極以及信號連接線。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦層還具有第四過孔、第五過孔以及第六過孔，所述第四過孔暴露出所述指紋信號電極遠離所述襯底基板的一側，所述第五過孔暴露出所述漏極遠離所述襯底基板的一側，所述第六過孔暴露出所述觸控電極遠離所述襯底基板的一側；

所述鈍化層還具有第七過孔和第八過孔，所述第七過孔與所述第四過孔對應設置，且所述鈍化層覆蓋所述第四過孔的內側壁，所述第八過孔對應所述第五過孔設置，且所述鈍化層覆蓋所述第五過孔的內側壁。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述感光電極與所述信號連接線連接，所述信號連接線通過所述第七過孔與所述指紋信號電極連接；所述像素電極通過所述第八過孔與所述漏極連接；所述觸控電極通過所述第六過孔與所述觸控走線連接。