[發明專利]基于表面電導率的絕緣子自然污穢的試驗鹽密修正方法在審
| 申請號： | 202110146642.2 | 申請日： | 2021-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN112964756A | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發明（設計）人： | 曹斌;姚遠;劉育豪;包煒杰;溫暉 | 申請（專利權）人： | 浙江屹飛電力科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/07 | 分類號： | G01N27/07;G01R31/12;G01R31/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 311835 浙江省紹興市諸暨*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 表面 電導率 絕緣子 自然 污穢 試驗 修正 方法 | ||
【權利要求書】：
1.基于表面電導率的絕緣子自然污穢的試驗鹽密修正方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1，選取絕緣子表面的某一區域作為污穢可溶鹽成分分析區域；
步驟2，在步驟1的分析區域滴入去離子水使其受潮；
步驟3，利用電極測量污層局部表面導電率，至表面導電率穩定后，再向表面滴入195mg/cm2的去離子水；
步驟4，測量污層的局部等值鹽密；
步驟5，將步驟3測量的局部表面電導率與步驟4測量的局部等值鹽密構建二維正交坐標系，根據數據點位置算污層中的難易溶鹽的比例。
2.根據權利要求1所述的基于表面電導率的絕緣子自然污穢的試驗鹽密修正方法，其特征在于，所述步驟2的去離子水劑量為5mg/cm2。
3.根據權利要求2所述的基于表面電導率的絕緣子自然污穢的試驗鹽密修正方法，其特征在于，所述步驟3的去離子水劑量為195mg/cm2。
4.根據權利要求1所述的基于表面電導率的絕緣子自然污穢的試驗鹽密修正方法，其特征在于，所述步驟5采用線性擬合局部表面電導率與局部等值鹽密的關系。
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