[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110143214.4
• 申請日: 2021-02-02
• 公開（公告）號: CN113517254A
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 慎重垣;李瑌真;李仁榮;崔智旻;韓正勳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/14
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

半導體基底；

導電墊，位于半導體基底的第一表面上；

鈍化層，位于半導體基底的第一表面上，鈍化層具有暴露導電墊的部分的第一開口；

有機介電層，位于鈍化層上，有機介電層具有第二開口；以及

凸塊結構，位于導電墊上并且位于第一開口和第二開口中，

其中，有機介電層包括與鈍化層的材料不同的材料，

其中，第二開口空間地連接到第一開口并且暴露鈍化層的部分，并且

其中，凸塊結構包括與鈍化層和有機介電層接觸的柱圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，凸塊結構還包括位于柱圖案上的焊料圖案。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，柱圖案接觸導電墊并且延伸到有機介電層的頂表面上。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

柱圖案的寬度比第二開口的寬度大，并且

第二開口的寬度比第一開口的寬度大。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

柱圖案的寬度等于或大于20μm并且等于或小于70μm，

第二開口的寬度等于或大于10μm并且小于20μm，并且

第一開口的寬度等于或大于5μm并且小于10μm。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，柱圖案的頂表面是平坦的。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，柱圖案包括種子圖案和位于種子圖案上的導電圖案。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，導電圖案包括導電層，導電層包括：

第一導電層，位于種子圖案上；

第二導電層，位于第一導電層上；以及

第三導電層，位于第二導電層上。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，第一導電層的頂表面位于比有機介電層的頂表面的水平高的水平處。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

第三導電層包括與第一導電層的材料相同的材料，并且

第二導電層包括與第一導電層的材料不同并且與第三導電層的材料不同的材料。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，鈍化層包括含硅層。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，鈍化層包括：

第一鈍化層；以及

第二鈍化層，位于第一鈍化層上并且包括與第一鈍化層的材料不同的材料，

其中，第二鈍化層的內壁與第一鈍化層的內壁共面并且與柱圖案接觸。

13.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

半導體基底；

導電墊，位于半導體基底的第一表面上；

含硅層，位于半導體基底的第一表面上并且暴露導電墊的部分；

聚合物層，位于含硅層上并且暴露含硅層的部分和導電墊的部分；

柱圖案，位于導電墊上并且與含硅層和聚合物層接觸；以及

焊料圖案，位于柱圖案上。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，

聚合物層暴露含硅層的頂表面，并且

柱圖案與含硅層的暴露的頂表面和聚合物層的頂表面接觸。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，柱圖案與含硅層的內壁和聚合物層的內壁接觸，

其中，聚合物層的內壁與含硅層的內壁不對準。