[發(fā)明專利]一種導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置與生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110141979.4 | 申請日： | 2021-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN112877770A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 齊紅基;賽青林 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/34 | 分類號： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 劉芙蓉 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 導(dǎo)模法 生長 氧化 晶體 裝置 方法 | ||
1.一種導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，包括：
本體，所述本體包括熱場結(jié)構(gòu)，所述熱場結(jié)構(gòu)用于保溫形成熱場，所述熱場結(jié)構(gòu)由至少一層保溫層層疊而成，所述保溫層由若干塊子保溫層拼接而成，所述若干塊為兩塊以上的自然數(shù)；所述熱場結(jié)構(gòu)的中心沿軸向方向設(shè)置有貫穿上下端面的通孔；
密封層，所述密封層設(shè)置在所述本體外圍，用于形成氧化鎵晶體生長的密封環(huán)境。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述密封層為透明密封層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述密封層為石英或玻璃材質(zhì)密封層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述保溫層由若干塊子保溫層通過子母扣形式拼接而成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述保溫層由2～8塊子保溫層拼接而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述保溫層由2～4塊子保溫層通過子母扣形式拼接而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述熱場結(jié)構(gòu)由2～6層保溫層層疊而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述保溫層的厚度為20～100mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)模法生長氧化鎵晶體的生長裝置，其特征在于，所述保溫層的上端面設(shè)置有臺(tái)階，下端面設(shè)置有凹槽，相鄰兩層保溫層之間通過臺(tái)階與凹槽相配合的方式進(jìn)行層疊。
10.一種氧化鎵晶體的生長方法，其特征在于，包括步驟：采用權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的生長裝置，進(jìn)行氧化鎵晶體的生長，得到氧化鎵晶體。
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