[發明專利]一種紫外波段超低吸收雙面增透膜及其制備方法有效
| 申請號： | 202110141966.7 | 申請日： | 2021-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN112904461B | 公開（公告）日： | 2022-05-24 |
| 發明（設計）人： | 陳莉;李全民;吳玉堂;王國力 | 申請（專利權）人： | 南京波長光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/115 | 分類號： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 南京中律知識產權代理事務所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211121 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 波段 吸收 雙面 增透膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種紫外波段超低吸收雙面增透膜，其特征在于：其結構為：
Air/1.06L0.63H1.27L0.66H/Sub/0.66H1.27L0.63H1.06L/Air，其中，H代表LaF3膜層，L代表AlF3膜層，Sub代表基底。
2.如權利要求1所述的紫外波段超低吸收雙面增透膜，其特征在于：基底所用材料為折射率1-2的紫外窗口玻璃。
3.如權利要求2所述的紫外波段超低吸收雙面增透膜，其特征在于：基底所用材料為氟化鈣、藍寶石或熔石英。
4.權利要求1-3任意一項所述的紫外波段超低吸收雙面增透膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
(1)基底加熱：鍍膜前對基底在抽真空狀態下進行烘烤加熱，提高基底溫度，其中，烘烤溫度為100℃～350℃，烘烤時間為1～3小時；
(2)離子束清洗：對基底進行離子束清洗，離子清洗時長為1～15min，離子束電壓為50～200V，離子束流為1～8A；
(3)基底正面膜系鍍制：根據膜系設計中的膜系結構，在基底正面依次鍍制各膜層；
(4)基底反面膜系鍍制：正面膜系鍍制完成后，取出元件，重復步驟(1)～(3)對反面各膜層依次鍍制。
5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟(1)中，烘烤前，用脫脂紗布蘸無水乙醇和乙醚的(2-4):1混合液擦拭基底，然后采用超聲波清洗的方式清洗基底。
6.如權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)和步驟(4)中，
LaF3膜層鍍制：將LaF3膜料放到坩堝或者鉬皮舟中，采用電子束蒸發或者電阻加熱的方法進行鍍制，其本底真空度高于1.5×10-3Pa，沉積速率為0.05-0.1nm/s；
AlF3膜層鍍制：將AlF3膜料放到坩堝或者鉬皮舟中，采用電子束蒸發或者電阻加熱的方法進行鍍制，其本底真空度高于1.5×10-3Pa，沉積速率為0.05-0.1nm/s。
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