[發明專利]一種基于量子點的MicroLED彩膜基板在審
| 申請號: | 202110141224.4 | 申請日: | 2021-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN112951871A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 肖志宏 | 申請(專利權)人: | 鈉澤新材料科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市張家港市金*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 量子 microled 彩膜基板 | ||
本發明公開了一種基于量子點的microLED彩膜基板,涉及microLED技術領域。包括玻璃基板,所述玻璃基板的頂部設置有彩色濾色層,且彩色濾色層的頂部設置有量子點膜層單元,所述量子點膜層單元包括位于彩色濾色層上方的基色層、配色層和顯色層,所述基色層、配色層和顯色層包括多個陣列排列的子像素色塊。本發明通過黑色矩陣將基色層、配色層、顯色層以同水平以陣列的方式進行分隔,基色層、配色層、顯色層中的紅色子像素、藍色子像素、綠色子像素相互對應,結合基色層、配色層、顯色層垂直方向上紅色子像素、藍色子像素、綠色子像素的相互對應陣列的相互對應,使組成的豎向方向的像素再組合調配后,實現光的擴散和疊加,提高光源利用率。
技術領域
本發明涉及microLED技術領域,具體為一種基于量子點的microLED彩膜基板。
背景技術
Micro LED技術,即LED微縮化和矩陣化技術,指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列,如LED顯示屏每一個像素可定址、單獨驅動點亮,可看成是戶外LED顯示屏的微縮版,將像素點距離從毫米級降低至微米級。
量子點是在把激子在三個空間方向上束縛住的半導體納米結構,通過對這種納米半導體材料施加一定的電場或光壓,它們便會發出特定頻率的光,而發出的光的頻率會隨著這種半導體的尺寸的改變而變化,因而通過調節這種納米半導體的尺寸就可以控制其發出的光的顏色,將量子點與Micro LED 技術相結合,使其顯色性更好。
但是在現有的量子點膜的生產過程中,使位于襯底基板上的電子點層邊緣的吸光能力弱于中間區域,使發散的紅、藍、綠像素比例失衡,在彩膜基板的結構中,將紅、藍、綠像素以陣列排列,使形成陣列的子像素不均勻,使其光的顯示度不好。
發明內容
本發明的目的在于:為了解決現有的量子點膜的生產過程中,使位于襯底基板上的電子點層邊緣的吸光能力弱于中間區域,使發散的紅、藍、綠像素比例失衡,在彩膜基板的結構中,將紅、藍、綠像素以陣列排列,使形成陣列的子像素不均勻,使其光的顯示度不好的問題,提供一種基于量子點的 microLED彩膜基板。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種基于量子點的microLED 彩膜基板,包括玻璃基板,所述玻璃基板的頂部設置有彩色濾色層,且彩色濾色層的頂部設置有量子點膜層單元,所述量子點膜層單元包括位于彩色濾色層上方的基色層、配色層和顯色層,所述基色層、配色層和顯色層包括多個陣列排列的子像素色塊,且多個子像素色塊通過黑色矩陣隔開,所述子像素色塊包括紅色子像素、藍色子像素和綠色子像素,所述顯色層的頂部設置有封裝層,所述彩色濾色層頂部的邊緣設置有調色塊,且調色塊的邊緣處設置有連接槽,所述調色塊頂部的一側固定有固定塊,所述基色層、配色層和顯色層包括主顯區、第一邊顯區和第二邊顯區。
優選地,所述第一邊顯區和第二邊顯區位置的藍色子像素的高度大于主顯區的位置形成間隙區。
優選地,所述基色層、配色層和顯色層在黑色矩陣中以3*3的形式隔開,且基色層、配色層和顯色層內側的紅色子像素、藍色子像素和綠色子像素在水平位置和垂直位置相互對應。
優選地,所述紅色子像素的邊緣處形成有與連接槽相配合的矩陣貼口。
優選地,所述固定塊的內側形成有與矩陣貼口相互密封的缺口。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:
1、本發明通過設置黑色矩陣將基色層、配色層、顯色層以同水平以陣列的方式進行分隔,基色層、配色層、顯色層中的紅色子像素、藍色子像素、綠色子像素的相互對應,可以產生不同波長的光,從而對應不同水平像素上的顏色,結合基色層、配色層、顯色層垂直方向上紅色子像素、藍色子像素、綠色子像素的相互對應陣列的相互對應,使組成的豎向方向的像素再組合調配后,實現光的擴散和疊加,實現彩色效果,提高光源利用率;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





