[發明專利]像素陣列

在審

• 申請號: 202110138252.0
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN113921543A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 方俊霖;林炳豪;李國政
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種像素陣列可包含多個像素區域，所述多個像素區域包含第一像素區域及第二像素區域。像素陣列可包含在所述多個像素區域上方的金屬格柵結構。像素陣列可包含光阻擋層。光阻擋層的第一部分可以在第一像素區域上方并且在金屬格柵結構下方。第一部分可具有第一厚度。光阻擋層的第二部分可以在第二像素區域上方并且在金屬格柵結構下方。第二部分可具有不同于第一厚度的第二厚度。

技術領域

本揭露是有關于一種像素陣列。

背景技術

影像感測器，像是互補性金屬氧化半導體(complementary metal oxidesemiconductor；CMOS)影像感測器，包含像素區域及支持邏輯陣列。陣列的像素區域為用于量測入射光(即，朝向像素區域的光)的半導體元件，并且支持邏輯促進讀出量測結果。

發明內容

依據本揭露的一或多個實施方式，一種像素陣列包含多個像素區域、金屬格柵結構以及光阻擋層。多個像素區域包含第一像素區域以及第二像素區域。金屬格柵結構位于多個像素區域上方。光阻擋層的第一部分在第一像素區域上方并且在金屬格柵結構下方，第一部分具有第一厚度，并且光阻擋層的第二部分在第二像素區域上方并且在金屬格柵結構下方，第二部分具有不同于第一厚度的第二厚度。

附圖說明

結合附圖，根據以下詳細描述可以最好地理解本揭露的各態樣。注意，根據行業中的標準實踐，各種特征未按比例繪制。實際上，為了清楚敘述，各種特征的尺寸可任意增加或減小。

圖1為其中可以實現本文描述的系統及/或方法的例示性環境的示意圖；

圖2A至圖2N為如本文所述的形成使發光二極管(light emitting diode；LED)閃爍減少并改善動態范圍的像素陣列的實例的示意圖；

圖3為如本文所述的使LED閃爍減少并改善動態范圍的另一例示性像素陣列的示意圖；

圖4為圖1的一或多個裝置的例示性組件的示意圖；

圖5為與形成使LED閃爍減少并改善動態范圍的像素陣列有關的例示性制程的流程圖。

【符號說明】

100:環境

102:沉積工具

104:曝光工具

106:顯影工具

108:蝕刻工具

110:光阻劑移除工具

112:平坦化工具

114:布植工具

116:晶圓/晶片處理裝置

200:像素陣列

202:基材

202a:第一表面

202b:第二表面

203,203a,203b,203c:像素區域

204,204a,204b,204c:光電二極管

205:開口

206:介電質襯層

208:DTI元件

210:緩沖層

212:光阻擋層

214:金屬格柵結構

216:氧化層

400:裝置

410:總線