[發(fā)明專利]一種基于二硫化鉬為載體的光電池制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110138233.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-02-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112768566A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 江旻珊;劉熠翕;張學(xué)典 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 王穎 |
| 地址: | 200093 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 二硫化鉬 載體 光電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供一種基于二硫化鉬為載體的光電池制備方法,包括以下步驟:將塊狀二硫化鉬進(jìn)行機(jī)械剝離,得到二硫化鉬制備樣品;對(duì)二硫化鉬制備樣品進(jìn)行表面制絨,得到具有絨面的二硫化鉬;對(duì)具有絨面的二硫化鉬進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié),形成二硫化鉬P?N結(jié),得到二硫化鉬太陽(yáng)能電池,并對(duì)二硫化鉬太陽(yáng)能電池邊緣的摻雜硅進(jìn)行等離子刻蝕,得到刻蝕后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池;對(duì)刻蝕后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池進(jìn)行鍍減反射膜,對(duì)鍍膜后二硫化鉬太陽(yáng)能電池進(jìn)行絲網(wǎng)印刷,得到含有電極的二硫化鉬太陽(yáng)能電池;對(duì)含有電極的二硫化鉬太陽(yáng)能電池,進(jìn)行快速燒結(jié),得到燒結(jié)后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池。本發(fā)明采用的原料充足,制備過(guò)程無(wú)污染、低成本,制得的光電池壽命長(zhǎng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及以二硫化鉬為基底的光電池制備方法。
背景技術(shù)
隨著現(xiàn)代社會(huì)的迅速發(fā)展,人們的生活也正在逐步信息科技化,故而人們正在將目光集中于新型半導(dǎo)體材料的研究與發(fā)展。電子類石墨烯二硫化鉬(MoS2)是典型的過(guò)渡金屬層狀二元化合物,它具有獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu)、良好的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,在克服零帶隙石墨烯的缺點(diǎn)同時(shí)依然具有石墨烯的很多優(yōu)點(diǎn),是目前材料研究領(lǐng)域非常引人關(guān)注的新興材料之一,被廣泛應(yīng)用于固體潤(rùn)滑劑、石油精煉催化劑和離子電池正極材料等領(lǐng)域。同時(shí),作為類石墨烯單層過(guò)渡金屬化合物,單層MoS2憑借其優(yōu)秀的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)在輔助石墨烯甚至替代石墨烯方面具有很好的前景。
因?yàn)闊o(wú)論是研究電子束在二硫化鉬單勢(shì)壘還是含勢(shì)阱非對(duì)稱多層勢(shì)壘結(jié)構(gòu)中的傳輸特性,勢(shì)壘的結(jié)構(gòu)是否合理以及入射電子束和透射電子束的波函數(shù)是否正確都是非常關(guān)鍵的問(wèn)題,合理的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)有助于分析二硫化鉬中電子束在量子結(jié)構(gòu)中的傳輸特性與電子束入射角、入射能量等參數(shù)之間的關(guān)系,從而揭示二硫化鉬量子結(jié)構(gòu)中電子傳播的基本性質(zhì)。單層二硫化鉬作為新型二維半導(dǎo)體材料,在離子電池,晶體管材料,氣體探測(cè)器和發(fā)光二極管等各方面都有著廣泛的應(yīng)用前景。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供一種基于二硫化鉬為載體的光電池制備方法,采用的原料充足,制備過(guò)程無(wú)污染、低成本,制得的光電池壽命長(zhǎng)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下方案:本發(fā)明提供一種基于二硫化鉬為載體的光電池制備方法,包括以下步驟:
S1、將塊狀二硫化鉬進(jìn)行機(jī)械剝離,得到二硫化鉬制備樣品;
S2、對(duì)所述二硫化鉬制備樣品進(jìn)行表面制絨,得到具有絨面的二硫化鉬;
S3、對(duì)所述具有絨面的二硫化鉬進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié),形成二硫化鉬P-N結(jié),得到二硫化鉬太陽(yáng)能電池,并對(duì)所述二硫化鉬太陽(yáng)能電池邊緣的摻雜硅進(jìn)行等離子刻蝕,得到刻蝕后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池;
S4、對(duì)所述刻蝕后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池進(jìn)行鍍減反射膜,對(duì)鍍膜后二硫化鉬太陽(yáng)能電池進(jìn)行絲網(wǎng)印刷,得到含有電極的二硫化鉬太陽(yáng)能電池;
S5、對(duì)所述含有電極的二硫化鉬太陽(yáng)能電池,進(jìn)行快速燒結(jié),得到燒結(jié)后的二硫化鉬太陽(yáng)能電池。
優(yōu)選地,所述步驟S1的過(guò)程為:
S1.1、將硅切成薄片,切好后將硅片放在干凈無(wú)雜物的化學(xué)濾紙上,選取雙氧化層P型硅做襯底,硅的氧化層厚度為300nm,隨后將硅片切成邊長(zhǎng)大小0.5cm左右的方形片狀物,得到硅片;
S1.2、取干凈的測(cè)試杯,并注入適量丙酮溶液,將所述硅片放入丙酮溶液中10min,采用超聲波清洗機(jī)對(duì)所述硅片上的有機(jī)雜質(zhì)或油脂進(jìn)行清洗和消除;
S1.3、將已經(jīng)在丙酮溶液中浸泡并經(jīng)過(guò)超聲處理清除了有機(jī)雜質(zhì)和油脂的硅片放入盛有適量乙醇溶液的燒杯中,并再次使用超聲波清洗機(jī)對(duì)硅片處理10min,去除硅片附著的丙酮溶液;
S1.4、將S1.3中經(jīng)超聲波清洗劑處理后的硅片放入去離子水中清洗,去除仍殘留在硅片表面的丙酮、乙醇雜質(zhì);
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





