[發(fā)明專利]一種MIMO陣列天線及其加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110135501.0 | 申請日： | 2021-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN112928473B | 公開（公告）日： | 2022-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王平;陳錫煉 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶郵電大學 |
| 主分類號： | H01Q1/52 | 分類號： | H01Q1/52;H01Q21/00;H01Q13/10;H01Q15/24 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 400000 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mimo 陣列 天線 及其 加工 方法 | ||
1.一種MIMO陣列天線，其特征在于，包括多個邊靠邊排列的背腔式縫隙天線（1）和隔離介質(zhì)（2），所述隔離介質(zhì)（2）覆蓋在所述多個邊靠邊排列的背腔式縫隙天線（1）的上方，用于隔離電磁波；所述隔離介質(zhì)（2）包括依次疊放的，并且具有不同大小、不同厚度和不同介電常數(shù)的多個介質(zhì)塊；所述多個介質(zhì)塊分別為第一介質(zhì)塊（21）、第二介質(zhì)塊（22）和第三介質(zhì)塊（23），所述第一介質(zhì)塊（21）、第二介質(zhì)塊（22）和第三介質(zhì)塊（23）的大小依次減小，所述第一介質(zhì)塊（21）、第二介質(zhì)塊（22）和第三介質(zhì)塊（23）的厚度依次增大，所述第一介質(zhì)塊（21）、第二介質(zhì)塊（22）和第三介質(zhì)塊（23）的介電常數(shù)依次減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MIMO陣列天線，其特征在于，所述背腔式縫隙天線（1）具有十字型槽縫（3），所述十字型槽縫（3）使所述背腔式縫隙天線（1）具有雙極化特性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MIMO陣列天線，其特征在于，所述第一介質(zhì)塊（21）為底層介質(zhì)塊，所述第二介質(zhì)塊（22）為中間層，所述第三介質(zhì)塊（23）為頂層介質(zhì)塊。
4.一種MIMO陣列天線，其特征在于，包括多個邊靠邊排列的背腔式縫隙天線（1）和隔離介質(zhì)（2），所述隔離介質(zhì)（2）覆蓋在所述多個邊靠邊排列的背腔式縫隙天線（1）的上方，用于隔離電磁波；所述隔離介質(zhì)（2）為介電常數(shù)為4-5且厚度為四分之一波長的單一介質(zhì)塊，所述單一介質(zhì)塊包括第一通孔區(qū)（24）和第二通孔區(qū)（25）；所述第一通孔區(qū)（24）位于第二通孔區(qū)（25）的下方；所述第一通孔區(qū)（24）包括多個形狀和大小相同的小通孔，且每個小通孔之間的間距相同；所述第二通孔區(qū)（25）包括多個形狀和大小相同的大通孔，且每個大通孔之間的間距相同；所述第一通孔區(qū)（24）的多個小通孔橫向設(shè)置，所述第二通孔區(qū)（25）的多個大通孔橫向設(shè)置；所述第一通孔區(qū)（24）的通孔個數(shù)大于所述第二通孔區(qū)（25）的通孔個數(shù)。
5.一種MIMO陣列天線的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將多個背腔式縫隙天線邊靠邊排列，組合成為MIMO陣列天線；
步驟2：在所述MIMO陣列天線的上方覆蓋隔離介質(zhì)，得到具有高隔離度的MIMO陣列天線；
所述在所述MIMO陣列天線的上方覆蓋隔離介質(zhì)的方法為：將第一介質(zhì)塊、第二介質(zhì)塊和第三介質(zhì)塊按照底層為第一介質(zhì)塊，中間層為第二介質(zhì)塊，頂層為第三介質(zhì)塊的順序依次疊放并覆蓋在所述MIMO陣列天線的上方；所述第一介質(zhì)塊、第二介質(zhì)塊和第三介質(zhì)塊的大小依次減小，所述第一介質(zhì)塊、第二介質(zhì)塊和第三介質(zhì)塊的厚度依次增大，所述第一介質(zhì)塊、第二介質(zhì)塊和第三介質(zhì)塊的介電常數(shù)依次減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種MIMO陣列天線的加工方法，其特征在于，在所述步驟1之前，在背腔式縫隙天線的諧振腔上方的金屬壁上蝕刻十字型槽縫，使背腔式縫隙天線具有雙極化特性。
7.一種MIMO陣列天線的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：將多個背腔式縫隙天線邊靠邊排列，組合成為MIMO陣列天線；
步驟2：在所述MIMO陣列天線的上方覆蓋隔離介質(zhì)，得到具有高隔離度的MIMO陣列天線；
所述在所述MIMO陣列天線的上方覆蓋隔離介質(zhì)的方法為：選擇介電常數(shù)為4.4且厚度為四分之一波長的單一介質(zhì)塊作為隔離介質(zhì)，將所述單一介質(zhì)塊分為第一通孔區(qū)和第二通孔區(qū)，所述第一通孔區(qū)位于第二通孔區(qū)的下方；在所述第一通孔區(qū)對所述單一介質(zhì)塊進行橫向打孔，得到多個形狀和大小相同的小通孔，且每個小通孔之間的間距相同；在所述第二通孔區(qū)對所述單一介質(zhì)塊進行橫向打孔，得到多個形狀和大小相同的大通孔，且每個大通孔之間的間距相同；所述第一通孔區(qū)的通孔個數(shù)大于所述第二通孔區(qū)的通孔個數(shù)。
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