[發明專利]一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法在審
| 申請號： | 202110134586.0 | 申請日： | 2021-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN112959140A | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發明（設計）人： | 石明;劉琦;李諾;孫晨光;王彥君 | 申請（專利權）人： | 中環領先半導體材料有限公司;天津中環領先材料技術有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 拋光 表面 氧化 厚度 工藝 方法 | ||
1.一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法，具體制作步驟如下：
S1、將硅片置于粗拋機進行粗拋
S2、將硅片置于中拋機進行中拋
S3、將硅片置于精拋機進行精拋
S4、拋光后進行初清洗
S5、初清洗后進行最終清洗。
2.根據權利要求1所述的一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法，其特征在于：S2中的中拋步驟分為三個階段，第一階段使用原液與純水體積比為1:30的中拋液B研磨，二階段使用純水研磨10-20s，三階段使用濃度為1％-2％的界面活性劑研磨20-40s。
3.根據權利要求1所述的一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法，其特征在于：S3中的精拋步驟分為三個階段，一階段使用原液與純水體積比為1:30精拋液C研磨，二階段使用純水研磨20-30s，三階段使用濃度為1％-2％的界面活性劑研磨30-60s。
4.根據權利要求1所述的一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法，其特征在于：拋光后初清洗和最終清洗的SC-1的配比定為NH4OH:H2O2:H2O＝1:3:30，溫度控制在40-45℃，氨水原液的濃度為28-30％，雙氧水原液的濃度為30-32％。
5.根據權利要求1所述的一種降低硅拋光片表面氧化層厚度的工藝方法，其特征在于：最終清洗的SC-2藥液由傳統藥液HCL+H2O2+H2O改為HF+HCL+H2O，配比為HF:HCL:H2O＝1：20：2000，溫度控制在25-30℃，HCL原液的濃度為36-38％，HF原液的濃度為49％。
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