[發明專利]一種異質結電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202110134415.8
• 申請日: 2021-01-30
• 公開（公告）號: CN112885909A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京箴思知識產權代理有限公司 11913
• 代理人: 李春暉;朱樂敏

1.一種異質結電池，包括晶體硅，其特征在于，還包括在所述晶體硅的兩側設置的本征非晶硅層、微晶硅層，以及，至少一面具有包括第一導電層和第二導電層的復合導電層，所述第一導電層設置于所述第二導電層和所述微晶硅層之間，所述第一導電層的晶粒尺寸大于所述第二導電層的晶粒尺寸。

2.根據權利要求1所述的異質結電池，其特征在于，所述第二導電層的晶粒尺寸為5-10nm，所述第一導電層的晶粒尺寸為10-20nm。

3.根據權利要求1或2所述的異質結電池，其特征在于，所述第一導電層的厚度小于所述第二導電層的厚度。

4.根據權利要求3所述的異質結電池，其特征在于，所述第一導電層的厚度≤20nm，所述第二導電層的厚度≤70nm。

5.一種異質結電池的制備方法，其特征在于，包括在晶體硅的兩側形成本征非晶硅層、微晶硅層、以及復合導電層的步驟，其中：形成所述復合導電層的步驟包括：

在任一微晶硅層的表面形成第一導電層；

在所述第一導電層的表面形成第二導電層；

在另一微晶硅層的表面形成另一第一導電層；

在所述另一微晶硅層表面形成的所述第一導電層的表面形成另一第二導電層；

其中，所述第一導電層的晶粒尺寸大于所述第二導電層的晶粒尺寸。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層采用磁控濺射法在具有氫氣分壓控制的低壓強、高氧流量的反應氣氛下制備而成；

所述第二導電層采用磁控濺射法在低壓強、高氧流量的反應氣氛下制備而成。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層制備的反應氣氛的工藝氣壓控制在≤2.0mtorr，氧分壓控制在≥0.8％，氫分壓控制在1-3％，工藝功率控制在1-4kW。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二導電層制備的反應氣氛的工藝氣壓控制在3-7mtorr，氧分壓控制在0.2-0.7％，工藝功率控制在2-7kW。

9.根據權利要求6-8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層的厚度小于所述第二導電層的厚度。

10.根據權利要求6-8任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層的厚度≤20nm，所述第二導電層的厚度≤70nm。