[發明專利]一種半導體外延厚度的檢測方法及裝置

有效

• 申請號: 202110134147.X
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112466773B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 董嬌嬌;周長健;朱鋆;吳從俊
• 申請（專利權）人: 中電化合物半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 朱艷

1.一種半導體外延厚度的檢測方法，其特征在于，其至少包括以下步驟：

在晶片載臺的承載面一側設置輸入管道，并在輸入管道遠離紅外檢測裝置的一端設置調壓裝置；

在所述紅外檢測裝置的所述晶片載臺的承載面一側通入保護氣體，并以預設壓力吹掃所述晶片載臺表面，所述預設壓力的范圍為1~20PSI；

在所述半導體外延上選定第一測試點和第一測試次數，對所述第一測試點的厚度進行單點重復性測量；

調整所述紅外檢測裝置的掃描次數，對所述半導體外延進行單點重復性測量；

獲得多個重復性測量的結果，將重復性最低時的檢測條件設置為最佳的檢測條件；

在所述半導體外延上選定第二測試點和第二測試次數，對所述第二測試點進行厚度測量，并獲得所述厚度測量的均一性測量結果，且所述均一性測量結果包括獲得所述第二測試點的平均值和偏差率；

其中，所述第一測試點為所述半導體外延的中心點，所述第二測試點包括多個測試點，且所述多個測試點以所述半導體外延的中心為中心點均勻排列。

2.根據權利要求1所述的一種半導體外延厚度的檢測方法，其特征在于，所述保護氣體為氮氣。

3.根據權利要求1所述的一種半導體外延厚度的檢測方法，其特征在于，對所述第一測試點的厚度進行單點重復性測量包括：

設定所述紅外檢測裝置的掃描次數、鏡面校正和測量背景；

將晶片放置在所述晶片載臺上，對所述半導體外延的第一測試點處進行重復性測量；

獲取所述重復性測量的結果。

4.根據權利要求3所述的一種半導體外延厚度的檢測方法，其特征在于，所述半導體外延厚度的檢測方法還包括：調整所述掃描次數，并獲得多個所述重復性測量結果，選定最佳的掃描次數。

5.根據權利要求1所述的一種半導體外延厚度的檢測方法，其特征在于，對所述第二測試點進行厚度測量包括：

設定所述紅外檢測裝置的掃描次數、鏡面校正和測量背景；

將晶片放置在晶片載臺上，對所述半導體外延的第二測試點處進行厚度測量；

獲取所述厚度測量的均一性測量結果。