[發明專利]激光探測器用陶瓷外殼、激光探測器及制備方法有效
| 申請號: | 202110132406.5 | 申請日: | 2021-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN112951926B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 李航舟;彭博;高嶺;劉洋;畢大鵬 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/024;H01L31/18 |
| 代理公司: | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人: | 付曉娣 |
| 地址: | 050051 *** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 探測 器用 陶瓷 外殼 探測器 制備 方法 | ||
1.一種激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,包括:
陶瓷基座,具有封裝腔;
法蘭盤,設置于所述陶瓷基座上,所述法蘭盤的外緣凸出于所述陶瓷基座的外緣;所述法蘭盤凸伸的外緣具有用于安裝固定的連接部;
所述法蘭盤包括依次相連的第一法蘭環、第二法蘭環和第三法蘭環,所述第一法蘭環用于與所述陶瓷基座的連接,所述連接部與第二法蘭環連接,所述第三法蘭環用于連接封裝蓋板。
2.如權利要求1所述的激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,所述第一法蘭環為便于與陶瓷基座焊接的鉬銅合金制件,所述第三法蘭環為便于與封裝蓋板焊接的可伐合金制件。
3.如權利要求1所述的激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,所述第一法蘭環的寬度大于所述第三法蘭環的寬度,且所述第一法蘭環的寬度小于所述陶瓷基座的壁寬。
4.如權利要求1所述的激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,所述封裝腔的體積與所述陶瓷基座的體積比,大于等于70%。
5.如權利要求1所述的激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,所述陶瓷基座的厚度大于等于6mm。
6.如權利要求1所述的激光探測器用陶瓷外殼,其特征在于,還包括熱沉,所述熱沉設置于所述陶瓷基座的底板上,所述熱沉的厚度大于所述陶瓷基座的底板的厚度;所述陶瓷基座的底板上設有安裝所述熱沉的安裝口。
7.一種激光探測器,其特征在于,包括:
如權利要求1-6任一項所述的陶瓷外殼;
熱沉,設置在所述陶瓷基座的底板上;
制冷器,設置于所述熱沉上;
陶瓷轉接盤,設置于所述制冷器上,所述陶瓷轉接盤的上面設有芯片;和
封裝蓋板,封裝于所述法蘭盤上,所述封裝蓋板的中間設有光窗。
8.一種如權利要求1-6任一項所述的激光探測器用陶瓷外殼的制備方法,其特征在于,包括:
根據陶瓷基座的陶瓷材料的熱膨脹系數,選擇預設焊接降溫曲線;
根據所述預設焊接降溫曲線,模擬不同熱膨脹系數的金屬構件與所述陶瓷基座的焊接過程,找出焊接應力集中的薄弱位置;
選擇與所述陶瓷材料的熱膨脹系數匹配的金屬構件,將所述金屬構件與所述陶瓷基座焊接在一起;其中,所述應力集中的薄弱位置避開所述陶瓷基座的腔體四角的薄弱位置;
所述金屬構件包括法蘭盤和熱沉,所述法蘭盤設置于所述陶瓷基座的開口部,所述熱沉設置在所述陶瓷基座的底板上。
9.如權利要求8所述的激光探測器用陶瓷外殼的制備方法,其特征在于,所述法蘭盤包括鉬銅合金材質的第一法蘭環和可伐合金材質的第三法蘭環,所述鉬銅合金材質的第一法蘭環采用釬焊與所述陶瓷基座焊接;所述可伐合金材質的第三法蘭環采用平行縫焊與封裝蓋板焊接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





