[發明專利]一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法

有效

• 申請號: 202110130686.6
• 申請日: 2021-01-29
• 公開（公告）號: CN112701192B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發明（設計）人: 杜哲仁;楊俊楠;沈承煥;趙影文;季根華;張志郢;陳嘉;林建偉
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 徐李娜

1.一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟一，對硅片的表面進行預處理，在預處理后的所述硅片的表面沉積含摻雜源的多晶硅層；

步驟二，在所述多晶硅層的表面的局部進行激光處理，以形成重摻雜區域；

步驟三，對所述硅片進行退火，以使所述多晶硅層的表面的未激光處理區域形成輕摻雜區域，并在退火處理過程中通入含O₂的氣體，以將所述多晶硅層氧化為BSG/PSG層；

步驟四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG層，得到太陽電池的選擇性摻雜結構；

步驟二中，所述激光處理的條件為：頻率200-300KHZ，焦距19000-21500mm，掃描速度1000-1500μm/s；

步驟二中，所述重摻雜區域的方阻小于80Ω/□；

步驟三中，所述退火處理的條件為：溫度700-1100℃，時間10-60min，O₂流量5-30slm。

2.根據權利要求1所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述硅片為厚度150-180nm、電阻率1-9Ω?cm的N型硅片。

3.根據權利要求1所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述預處理包括制絨處理、拋光處理及刻蝕處理。

4.根據權利要求1所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟一中，采用原位摻雜沉積含摻雜源的所述多晶硅層；

所述原位摻雜為原位硼摻雜或原位磷摻雜。

5.根據權利要求1或4所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟一中，所述多晶硅層的厚度為10-100nm。

6.根據權利要求1所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟三中，所述輕摻雜區域的方阻為150-500Ω/□。

7.根據權利要求1所述的一種太陽電池的選擇性摻雜結構的制備方法，其特征在于，步驟四中，采用質量分數為5-20%的氫氟酸清洗所述硅片。