[發(fā)明專利]特征提取方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110129778.2
• 申請(qǐng)日: 2021-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112949651A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鈺安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): G06K9/46
• 分類號(hào): G06K9/46;G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 李漢亮

1.一種特征提取方法，其特征在于，包括：

通過(guò)第一特征編碼模塊提取待處理圖像的低層級(jí)特征圖，以及通過(guò)第二特征編碼模塊提取所述待處理圖像的高層級(jí)特征圖；

通過(guò)特征聚合模塊對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行第一處理，得到與所述低層級(jí)特征圖分辨率相同的第一特征圖，以及通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行第二處理，得到與所述低層級(jí)特征圖分辨率相同的第二特征圖；

通過(guò)所述特征聚合模塊融合所述第一特征圖和所述第二特征圖得到第一融合特征圖；

通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行第三處理，得到與所述高層級(jí)特征圖分辨率相同的第三特征圖，以及通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行第四處理，得到與所述高層級(jí)特征圖分辨率相同的第四特征圖；

通過(guò)所述特征聚合模塊融合所述第三特征圖和所述第四特征圖得到第二融合特征圖；

通過(guò)所述特征聚合模塊將所述第一融合特征圖和所述第二融合特征圖采樣到同一分辨率后進(jìn)行融合，得到對(duì)應(yīng)所述待處理圖像的目標(biāo)融合特征圖。

2.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述特征聚合模塊包括第一特征聚合單元以及點(diǎn)卷積層，其中，所述第一特征聚合單元包括依次連接的深度卷積層、批正則化層、點(diǎn)卷積層以及批正則化層，所述通過(guò)特征聚合模塊對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行第一處理，得到與所述低層級(jí)特征圖分辨率相同的第一特征圖，包括：

通過(guò)所述第一特征聚合單元以及所述點(diǎn)卷積層依次對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行深度卷積處理、批正則化處理、點(diǎn)卷積處理、批正則化處理、以及點(diǎn)卷積處理，得到所述第一特征圖。

3.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述特征聚合模塊包括第二特征聚合單元、雙線性插值層以及激活函數(shù)層，其中，所述第二特征聚合單元包括依次連接的標(biāo)準(zhǔn)卷積層以及批正則化層，所述通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行第二處理，得到與所述低層級(jí)特征圖分辨率相同的第二特征圖，包括：

通過(guò)所述第二特征聚合單元、所述雙線性插值層以及所述激活函數(shù)層依次對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)卷積處理、批正則化處理、雙線性插值處理、以及激活處理，得到所述第二特征圖。

4.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述通過(guò)所述特征聚合模塊融合所述第一特征圖和所述第二特征圖得到第一融合特征圖，包括：

通過(guò)所述特征聚合模塊將所述第一特征圖和所述第二特征圖相乘，得到所述第一融合特征圖。

5.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述特征聚合模塊包括第三特征聚合單元以及平均池化層，其中，所述第三特征聚合單元包括標(biāo)準(zhǔn)卷積層和批正則化層，所述通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行第三處理，得到與所述高層級(jí)特征圖分辨率相同的第三特征圖，包括：

通過(guò)所述第三特征聚合單元以及所述平均池化層依次對(duì)所述低層級(jí)特征圖進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)卷積處理、批正則化處理、以及平均池化處理，得到所述第三特征圖。

6.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述特征聚合模塊包括第四特征聚合單元、點(diǎn)卷積層以及激活函數(shù)層，其中，所述第四特征聚合單元包括標(biāo)準(zhǔn)卷積層和批正則化層，所述通過(guò)所述特征聚合模塊對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行第四處理，得到與所述高層級(jí)特征圖分辨率相同的第四特征圖，包括：

通過(guò)所述第四特征聚合單元、所述點(diǎn)卷積層以及所述激活函數(shù)層依次對(duì)所述高層級(jí)特征圖進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)卷積處理、批正則化處理、點(diǎn)卷積處理以及激活處理，得到所述第四特征圖。

7.如權(quán)利要求1所述的特征提取方法，其特征在于，所述通過(guò)所述特征聚合模塊融合所述第三特征圖和所述第四特征圖得到第二融合特征圖，包括：

通過(guò)所述特征聚合模塊將所述第三特征圖和所述第四特征圖相乘，得到所述第二融合特征圖。