[發(fā)明專利]一種雙控保護(hù)型高壓控制電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110128898.0
• 申請日: 2021-01-29
• 公開（公告）號: CN112802714A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許杰;吳曉峰;高紀(jì)凡;馮玟生
• 申請（專利權(quán)）人: 天合光能股份有限公司
• 主分類號: H01H47/00
• 分類號: H01H47/00;H01H47/02;H01H47/32;H01M10/42;H02J7/00
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，包括依次連接的雙控單元、處理單元和用于控制高壓接入和斷開的雙刀雙擲繼電器K1，所述雙控單元包括通信連接的控制單元A和控制單元B，控制單元A和控制單元B分別單獨(dú)控制雙刀雙擲繼電器K1線圈的一極；所述處理單元包括可以接收雙控單元輸出控制信號的反相器，所述反相器的輸出信號通過輸入到MOS管控制雙刀雙擲繼電器K1；所述處理單元還包括與控制單元連接的反饋信號檢測電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元A輸出控制信號到反相器D1，所述反相器D1輸出電平信號至MOS管V2，通過控制MOS管V2的狀態(tài)，控制所述雙刀雙擲繼電器K1的1腳的電平狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述處理單元還包括與控制單元B連接的雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3，所述雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3帶復(fù)位功能。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元B輸出的控制信號連接到反相器D2和雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3，所述反相器D2和雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3輸出電平信號到MOS管，通過控制MOS管的狀態(tài)，控制雙刀雙擲繼電器K1的12腳的電平狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3輸出電平信號脈沖的持續(xù)時間由電阻R7和電容C2構(gòu)成的RC頻率器決定。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元B輸出控制信號為低電平時，雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3輸出高電平脈沖驅(qū)動MOS管V10導(dǎo)通接地，促使MOS管V8導(dǎo)通，啟動電源VCC_H2經(jīng)防反二極管V5輸入到雙刀雙擲繼電器K1的12腳，使雙刀雙擲繼電器K1的12腳呈現(xiàn)高電平；同時反相器D2輸出高電平信號到MOS管V6，驅(qū)動MOS管V6的導(dǎo)通接地，促使MOS管V3導(dǎo)通，供電電源VCC_H1經(jīng)防反二極管V5輸入到雙刀雙擲繼電器K1的12腳，雙刀雙擲繼電器K1的12腳維持高電平。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元B輸出控制信號為高電平或不輸出電平時，雙頻非可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器D3為低電平狀態(tài)，MOS管V10處于截止?fàn)顟B(tài)，雙刀雙擲繼電器K1的12腳處于懸空狀態(tài)；同時反相器D2輸出低電平信號，所述MOS管V6處于截止?fàn)顟B(tài)，雙刀雙擲繼電器K1的12腳處于懸空狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述供電電源VCC_H1比啟動電源VCC_H2的電壓值小。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元A和控制單元B通過串口，和/或，SPI，和/或，CAN進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)交互。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙控保護(hù)型高壓控制電路，其特征在于，所述控制單元A和控制單元B輸出的控制信號分別通過連接上拉電阻接入電源。