[發明專利]一種自消氣式新型注塑工藝

在審

• 申請號: 202110127239.5
• 申請日: 2021-01-29
• 公開（公告）號: CN113146962A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 黃愛松
• 申請（專利權）人: 黃愛松
• 主分類號: B29C45/27
• 分類號: B29C45/27;B29C45/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：包括以下步驟：

S1、挑選合適的塑料顆粒轉放入混料機內進行持續加熱混合30-50min，混配成用于后續生產的塑料原材料，然后對原材料進行干燥；

S2、準備相應的注塑模具涂覆上脫模劑，然后抽真空，并對注塑模具預熱至180-200℃；

S3、將原材料投入至螺旋擠出機中的料筒內加熱熔融，經過熱處理的熱流道噴嘴進行注射，通過注塑模具上的新型澆口進入到腔體中；

S4、新型澆口持續性的利用負壓對熔融料內摻雜的空氣進行吸出，在熔融料注射完成后進行保壓；

S5、對注塑模具進行冷卻，成型時間為80-100s，開模取出后進行切邊修整即得成品。

2.根據權利要求1所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述步驟S2中混料機的加熱溫度為200-220℃，干燥溫度為160-180℃，并保持原材料的含水率低于0.3％。

3.根據權利要求1所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述新型澆口包括澆口本體(1)、多個消氣半球(2)和密封蓋(3)，所述澆口本體(1)鑲嵌于注塑模具上并與腔體連通，所述消氣半球(2)均勻分布于澆口本體(1)內端壁上，所述密封蓋(3)安裝于澆口本體(1)上端。

4.根據權利要求3所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述消氣半球(2)從外至內依次包括與澆口本體(1)連接的耐高溫透氣膜(21)、骨架半球殼(22)、分離式磁屏蔽層(23)、吸氣層(24)、發熱層(25)和排斥磁鐵(26)，所述骨架半球殼(22)上開設有多個均勻分布的主遷移孔，所述主遷移孔內活動連接有反饋磁球(4)，且反饋磁球(4)與耐高溫透氣膜(21)連接，所述反饋磁球(4)遠離耐高溫透氣膜(21)一端連接有頂桿(5)，且頂桿(5)與分離式磁屏蔽層(23)相抵觸。

5.根據權利要求4所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述吸氣層(24)采用多孔隙材料制成，所述發熱層(25)采用自發熱材料制成。

6.根據權利要求4所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述分離式磁屏蔽層(23)包括固定磁屏蔽層(231)、多片移動磁屏蔽片(232)以及多個相變弧棒(233)，所述移動磁屏蔽片(232)活動鑲嵌于固定磁屏蔽層(231)上，且移動磁屏蔽片(232)與頂桿(5)相對應，所述相變弧棒(233)連接于移動磁屏蔽片(232)靠近骨架半球殼(22)的一端。

7.根據權利要求6所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述固定磁屏蔽層(231)采用硬質的磁屏蔽材料制成，所述移動磁屏蔽片(232)采用彈性的磁屏蔽材料制成，所述相變弧棒(233)采用彈性材料制成管狀結構，且內部填充有熱熔性材料。

8.根據權利要求7所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述反饋磁球(4)延伸出耐高溫透氣膜(21)的距離小于相變弧棒(233)的長度，且反饋磁球(4)的截面積大于移動磁屏蔽片(232)的表面積。

9.根據權利要求4所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述反饋磁球(4)包括磁斥半球(41)、消氣半球(42)以及多個慣性微球(43)，所述磁斥半球(41)和消氣半球(42)對稱連接，且慣性微球(43)填充于消氣半球(42)內，所述消氣半球(42)上開設有多個均勻分布的次遷移孔，且次遷移孔的孔徑大于慣性微球(43)的外徑。

10.根據權利要求1所述的一種自消氣式新型注塑工藝，其特征在于：所述步驟S3中的注射壓力為50-110MPa，所述步驟S3中的保壓時長為45-60s。