[發(fā)明專利]一種石墨烯全電極透明OLED器件制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110124926.1
• 申請(qǐng)日: 2021-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN112885980A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝玉峰;吳楠楠;張明斐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/54
• 分類號(hào): H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 黃欣

1.一種OLED器件，包括襯底，在襯底上由下至上依次為陽(yáng)極、空穴傳輸/注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于：所述陽(yáng)極采用石墨烯制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件，其特征在于：所述陰極采用石墨烯或鋁制成。

3.權(quán)利要求1或2所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1，取襯底備用；

步驟2，采用化學(xué)氣相沉積法在銅箔上制備石墨烯，并將石墨烯轉(zhuǎn)移至步驟1的襯底上；

步驟3，在石墨烯上蒸鍍金/鉻作為引出電極；

步驟4，旋涂PEDOT材料，制成空穴傳輸/注入層；

步驟5，旋涂發(fā)光材料，制成發(fā)光層；

步驟6，采用熱蒸鍍制成電子傳輸層和電子注入層；

步驟7，制備陰極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：步驟7中通過(guò)掩模版熱蒸鍍鋁電極作為陰極，或者轉(zhuǎn)移步驟2中的石墨烯作為陰極。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：步驟1中所述襯底為玻璃襯底或鍍有ITO的玻璃襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：步驟2中制備石墨烯的具體條件為：將銅襯底置于管式爐中，生長(zhǎng)用低壓條件，生長(zhǎng)溫度1035℃；氬氣50~200sccm，氫氣1~20sccm，甲烷0.3~1sccm，生長(zhǎng)時(shí)間3~8h。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：步驟2中得到的石墨烯為1~5層，多層覆蓋率為30%~80%。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：步驟2中將石墨烯轉(zhuǎn)移至襯底的具體過(guò)程為：將帶有石墨烯的銅箔固定在玻璃片上，在石墨烯/銅/玻璃的表面旋涂PMMA溶液，干燥后將取下PMMA/石墨烯/銅部分，將其浸入過(guò)硫酸銨溶液中使銅溶解，得到PMMA/石墨烯薄膜，然后將洗凈的PMMA/石墨烯薄膜置于步驟1的襯底上，加熱后，將PMMA/石墨烯/襯底浸入丙酮中以去除PMMA，取出后經(jīng)退火，即可。