[發明專利]一種同軸生長PNP雙色外延結構

在審

• 申請號: 202110123573.3
• 申請日: 2021-01-29
• 公開（公告）號: CN112951959A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 李起鳴;游正璋
• 申請（專利權）人: 上海顯耀顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
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• 代理人: 暫無信息

1.一種同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，包括：

襯底；

P型第一色摻雜半導體層，生長于襯底上；

第一色發光層，生長于所述P型第一色摻雜半導體層上；

N型第一色摻雜半導體層，生長于所述第一色發光層上；

第二色發光層，生長于所述N型第一色摻雜半導體層上；

P型第二色摻雜半導體層，生長于所述第二色發光層上。

2.根據權利要求1所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，P型第一色摻雜半導體層從下往上依次包括：P型第一色摻雜半導體子層和P型第一電子阻擋層。

3.根據權利要求2所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，P型第一色摻雜半導體子層的厚度大于所述P型第一電子阻擋層的厚度；P型第一色摻雜半導體子層的摻雜濃度大于所述P型第一單子阻擋層的摻雜濃度。

4.根據權利要求3所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述P型第一色摻雜半導體子層的材料為GaN，其厚度為40～4000nm，摻雜濃度為5E19atoms/cm³～1.5E21atoms/cm³；

所述P型第一電子阻擋層的材料為pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的單層或多層、或這些材料的超晶格結構，厚度為10～70nm；摻雜濃度為2E19atoms/cm³～1.5E20atoms/cm³。

5.根據權利要求1所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述第一色發光層為多周期量子阱發光結構。

6.根據權利要求5所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述多周期量子阱發光結構為In_bAl_aGa_1-b-aN/In_bAl_aGa_1-b-aN)_n，n為周期數；In的組分b為0～1，Al的組分a為0～1；勢阱的厚度為2.0～4.0nm，勢壘的厚度為4～15nm；周期數為6～12。

7.根據權利要求1所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述N型第一色摻雜半導體層與所述第一色發光層之間還生長有第一多周期應力調節層。

8.根據權利要求7所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述第一多周期應力調節層的結構為(Al_xIn_yGa_1-x-yN/Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N)_n；其中，n為周期數。

9.根據權利要求8所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，所述周期n小于5，x為0～0.5，x1為0～0.5，y為0～0.5，y1為0～0.5。

10.根據權利要求8所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，Al_xIn_yGa_1-x-yN的厚度大于Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的厚度。

11.根據權利要求10所述的同軸生長PNP雙色外延結構，其特征在于，Al_xIn_yGa_1-x-yN的厚度為2.0～20nm，Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的厚度為1.0～3.0nm。