[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110121034.6
• 申請(qǐng)日: 2021-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112864231A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔友朝;張明;孫丹丹;胡艷龍;王園
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 合肥維信諾科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/24
• 分類號(hào): H01L29/24;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 娜拉

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，該薄膜晶體管，包括層疊設(shè)置的柵極、有源層和源漏極層，柵極與有源層、源漏極層絕緣設(shè)置，有源層包括層疊設(shè)置的第一有源層和第二有源層，第二有源層形成于第一有源層背離柵極的一側(cè)；第一有源層和第二有源層均為金屬氧化物半導(dǎo)體層，第一有源層中銦元素的元素比例大于第二有源層中銦元素的元素比例，第一有源層中鎵元素的元素比例小于第二有源層中鎵元素的元素比例。上述薄膜晶體管同時(shí)滿足開(kāi)態(tài)的高導(dǎo)電性和關(guān)態(tài)低關(guān)態(tài)電流，使得薄膜晶體管的性能大大提高，可以滿足高精細(xì)面板的要求，提高了顯示面板的分辨率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板。

背景技術(shù)

隨著科技的不斷發(fā)展，250PPI以上的高精細(xì)面板要求成為了行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)，這就要求顯示面板中的薄膜晶體管具有更高的性能，傳統(tǒng)的薄膜晶體管無(wú)法同時(shí)具備開(kāi)態(tài)高導(dǎo)電性和低關(guān)態(tài)電流，從而無(wú)法滿足高精細(xì)面板的驅(qū)動(dòng)需求。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，該薄膜晶體管可同時(shí)具備開(kāi)態(tài)高導(dǎo)電性和低關(guān)態(tài)電流。

一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，層疊設(shè)置的柵極、有源層和源漏極層，柵極與有源層、源漏極層絕緣設(shè)置，有源層包括層疊設(shè)置的第一有源層和第二有源層，第二有源層形成于第一有源層背離柵極的一側(cè)，第一有源層和第二有源層均為金屬氧化物半導(dǎo)體層，第一有源層中銦元素的元素比例大于第二有源層中銦元素的元素比例，第一有源層中鎵元素的元素比例小于第二有源層中鎵元素的元素比例。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，第一有源層的材料為氧化銦鋅、氧化銦和銦鎵鋅氧化物中的任意一種，第二有源層的材料為氧化銦鎵或銦鎵鋅氧化物。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，第一有源層和第二有源層的材料均為銦鎵鋅氧化物。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，第一有源層中銦、鋅和鎵的元素比例為5：4：1；第二有源層中銦、鋅和鎵的元素比例為1：1：1。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，第一有源層的厚度為15nm～25nm；第二有源層的厚度為40nm～50nm。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，薄膜晶體管還包括鈍化層，鈍化層設(shè)置于源漏極層與第一有源層之間。

另一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在襯底上形成第一金屬層，并圖案化以形成柵極；在柵極背離襯底的一側(cè)形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層背離柵極的一側(cè)形成第一有源層，在第一有源層背離柵極絕緣層的一側(cè)形成第二有源層，第一有源層和第二有源層在襯底上的正投影重疊，第一有源層和第二有源層均為金屬氧化物半導(dǎo)體層，第一有源層中銦元素的元素比例大于第二有源層中銦元素的元素比例，第一有源層中鎵元素的元素比例小于第二有源層中鎵元素的元素比例；在第二有源層背離第一有源層的一側(cè)形成第二金屬層，并將第二金屬層圖案化以形成源極和漏極。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一個(gè)方面，采用磁控濺射工藝形成第一有源層和第二有源層。

還一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括上述技術(shù)方案中提供的任意一種薄膜晶體管。

又一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括上述技術(shù)方案提供的陣列基板。