[發明專利]濕法刻蝕基臺及濕法制程化學臺

在審

• 申請號: 202110119234.8
• 申請日: 2021-01-28
• 公開（公告）號: CN112735991A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 許浩浩;吳智翔;劉鵬
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H05F3/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供一種濕法刻蝕基臺及濕法制程化學臺，所述濕法刻蝕基臺包括反應腔室、管路組件及靜電導流件，所述管路組件包括刻蝕管及清洗管，所述刻蝕管用于向所述反應腔室通入刻蝕液；所述清洗管用于向所述反應腔室通入清洗液；所述靜電導流件貼附于所述刻蝕管和所述清洗管中的至少一個上。通過于刻蝕管和/或清洗管上設置靜電導流件，可以疏導濕法制程中聚集的電荷，避免電荷聚集到一個量級之后爆炸濺射使晶片表面產生缺陷，提高晶片的良品率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種濕法刻蝕基臺及濕法制程化學臺。

背景技術

伴隨著半導體生產制程越來越先進，濕法刻蝕所面臨的問題也越來越多。膜層沉積之前，晶片保存在無塵室的承片架上，無塵室有等級之分，即便是等級最低的無塵室也避免不了環境中有機物氣體和微小顆粒的侵入，再加上前一道制程中離子、分子、顆粒等帶來的污染，會影響膜層的正常生長，具體地，細微的顆粒會隨著膜層生長為大的顆粒，從而使膜層突起，離子則在高溫作用下在膜層中擴散，從而影響膜層的電阻率。此外，沉積后的膜層，如果表面還殘留顆粒，若后一道制程是刻蝕，會阻擋刻蝕的深入，若是曝光，會影響膜層圖案的形態，若是化學機械研磨，會造成膜層刮傷。

通常地，膜層在沉積前后通過RCA清洗工藝進行清洗，目前較優選的方案是在RCA清洗之前先分別通過硫酸雙氧水(SPM)和稀釋的氫氟酸(DHF)進行清洗。在整個制程中，由于機臺內部的靜電產生的感生電荷聚集達到一個量級后爆炸濺射，使清洗之后的晶片依然會產生缺陷。因此，如何避免制程中機臺內部電荷聚集是一個亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種濕法刻蝕基臺及濕法制程化學臺，以解決濕法制程中電荷聚集導致晶片缺陷的問題。

為解決上述技術問題，基于本發明的一個方面，本發明提供一種濕法刻蝕基臺，其包括反應腔室、管路組件及靜電導流件，

所述管路組件包括刻蝕管及清洗管，所述刻蝕管用于向所述反應腔室通入刻蝕液；所述清洗管用于向所述反應腔室通入清洗液；

所述靜電導流件貼附于所述刻蝕管和所述清洗管中的至少一個上。

可選的，所述靜電導流件呈管狀，套設于所述刻蝕管和/或所述清洗管之外周。

可選的，所述靜電導流件具有兩個槽孔組，每個所述槽孔組包括多個沿所述靜電導流件的延伸方向間隔排布的槽孔，所述槽孔沿徑向貫通所述靜電導流件；兩個所述槽孔組沿徑向分布于所述靜電導流件的延長線的兩側，且沿所述靜電導流件的延伸方向錯位排布。

可選的，所述靜電導流件具有沿自身的延伸方向開設的邊緣縫，所述靜電導流件用于通過所述邊緣縫套設在所述刻蝕管和/或所述清洗管上。

可選的，所述靜電導流件為聚丙烯件。

可選的，所述靜電導流件接地。

可選的，所述刻蝕管和所述清洗管分別包括輸液主管和旁支分管，所述旁支分管自所述輸液主管的徑向向外延伸，所述旁支分管與所述反應腔室連接，所述刻蝕液/清洗液自所述輸液主管，經所述旁支分管通入所述反應腔室。

可選的，所述濕法刻蝕基臺具有多個所述靜電導流件，所述刻蝕管/清洗管位于相鄰的兩個所述反應腔室之間的部分設有所述靜電導流件。

基于本發明的另一個方面，本發明還提供一種濕法制程化學臺，其包括如上所述的濕法刻蝕基臺。