[發(fā)明專利]用于制造具有到導(dǎo)電樓梯梯級的接觸件的微電子裝置的方法以及相關(guān)裝置和系統(tǒng)

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• 申請日: 2021-01-28
• 公開（公告）號: CN113284844A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王淼鑫;D·A·戴寇克;郭杰賢;曾啟文;C·G·埃莫;盧永耀
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于形成微電子裝置的方法，所述方法包括：

在堆疊結(jié)構(gòu)中形成樓梯結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括布置在層中的絕緣材料和導(dǎo)電材料的豎直交替序列，所述樓梯結(jié)構(gòu)包括在所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述層的橫向端處的梯級；

鄰近所述樓梯結(jié)構(gòu)形成填充材料；

在所述填充材料中形成具有不同的縱橫比的接觸開口，所述接觸開口中的一些接觸開口終止于所述填充材料中，所述接觸開口中的其它接觸開口暴露所述堆疊結(jié)構(gòu)的上部層的所述導(dǎo)電材料的部分；

在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中在所述導(dǎo)電材料的所述部分上選擇性地形成額外的導(dǎo)電材料；

延伸所述接觸開口中的所述一些接觸開口以形成暴露所述堆疊結(jié)構(gòu)的下部層的所述導(dǎo)電材料的部分的經(jīng)延伸的接觸開口；以及

在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中并且在所述經(jīng)延伸的接觸開口中形成接觸件，所述接觸件中的一些接觸件延伸到所述額外的導(dǎo)電材料，所述接觸件中的其它接觸件延伸到所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述下部層的所述導(dǎo)電材料的所述部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)延伸所述接觸開口中的所述一些接觸開口以形成所述經(jīng)延伸的接觸開口時，所述額外的導(dǎo)電材料保持暴露在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中終止于所述填充材料中的所述接觸開口中的所述一些接觸開口具有彼此基本上相同的深度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括在延伸所述接觸開口中的所述一些接觸開口以形成所述經(jīng)延伸的接觸開口之前，在所述額外的導(dǎo)電材料上選擇性地形成更多導(dǎo)電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在所述填充材料中形成具有所述不同的縱橫比的所述接觸開口包括通過一個材料移除動作至少部分地形成用于待與所述樓梯結(jié)構(gòu)的梯級的電連接地形成的所有的所述接觸件的接觸開口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在所述填充材料中形成具有不同的縱橫比的接觸開口包括形成接觸開口到直到所述樓梯結(jié)構(gòu)的高度的約50％的深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其進一步包括在延伸所述接觸開口中的所述一些接觸開口之后，在所述堆疊結(jié)構(gòu)的所述下部層的所述導(dǎo)電材料的所述部分上選擇性地形成更多導(dǎo)電材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述更多導(dǎo)電材料進一步包括也在所述額外的導(dǎo)電材料上形成所述更多導(dǎo)電材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中并且在所述經(jīng)延伸的接觸開口中形成接觸件包括在所述接觸開口中并且在所述經(jīng)延伸的接觸開口中形成襯里材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求所述的方法，其中在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中并且在所述經(jīng)延伸的接觸開口中形成接觸件包括：

在所述堆疊結(jié)構(gòu)的下部層處的所述導(dǎo)電材料上形成氮化物材料；以及

在所述接觸開口中的所述其它接觸開口中的所述額外的導(dǎo)電材料上形成所述氮化物材料。

11.一種微電子裝置，其包括：

堆疊結(jié)構(gòu)，其包括絕緣結(jié)構(gòu)和與所述絕緣結(jié)構(gòu)豎直地交替的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)布置在層中，所述層中的每一個包括所述絕緣結(jié)構(gòu)中的一個和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一個；

樓梯結(jié)構(gòu)，其具有包括所述層的橫向端的梯級；

接觸件，其朝向在所述樓梯結(jié)構(gòu)的不同的高程處的梯級延伸，所述接觸件包括氮化物襯里；

在所述樓梯結(jié)構(gòu)的上部高程中，導(dǎo)電延伸部正好在所述接觸件的所述氮化物襯里與所述層的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間；以及

在所述樓梯結(jié)構(gòu)的下部高程中，所述接觸件完全地延伸到所述層的所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。