[發明專利]發光二極管組件及制造其發光二極管單元的方法

有效

• 申請號: 202110116231.9
• 申請日: 2021-01-28
• 公開（公告）號: CN113451289B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 潘錫明;王明宗;汪秉龍
• 申請（專利權）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L27/06
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 唐芳芳

一種發光二極管組件，包括多個發光二極管單元及驅動電路。每個所述發光二極管單元包括發光二極管及晶體管。所述發光二極管包括具有III?V族化合物半導體的第一發光二極管層、在所述第一發光二極管層上方的第二發光二極管層、及在所述第二發光二極管層上方的發光二極管電極。所述第一發光二極管層不具有發光二極管電極。所述晶體管包括汲區，所述汲區連接所述第一發光二極管層。所述驅動電路配置來驅動所述發光二極管單元。

技術領域

本申請要求于2020年03月27日提交的美國專利申請號16/831840的優先權，其通過引用并入本文，并且成為說明書的一部分。

本公開涉及發光二極管，尤其涉及具備晶體管及發光二極管的發光二極管組件。

背景技術

一種發光二極管(light-emitting?diode，LED)組件，包括多個發光二極管單元和驅動電路。每個發光二極管單元包括發光二極管和晶體管。該發光二極管包括p型半導體層，連接到該p型半導體層的p型發光二極管電極(或陽極端子)，n型半導體層和連接到n型半導體層的n型發光二極管電極(或陰極端子)。驅動電路被配置為驅動發光二極管單元，例如以控制發光二極管的開-關狀態和亮度。但是，隨著集成化和小型化的發展，傳統的LED組件的結構不利于其小型化的發展需求，因此需要一種新的LED組件結構。

發明內容

本公開的一個方面提供了一種發光二極管組件，包括多個發光二極管單元及驅動電路。每個所述發光二極管單元包括發光二極管及晶體管。所述發光二極管包括具有III-V族化合物半導體的第一發光二極管層、在所述第一發光二極管層上方的第二發光二極管層、及在所述第二發光二極管層上方的發光二極管電極。所述第一發光二極管層不具有發光二極管電極。所述晶體管包括汲區，所述汲區連接所述第一發光二極管層。所述驅動電路配置來驅動所述多個發光二極管單元。

本公開的一個方面提供了一種發光二極管組件，包括多個發光二極管單元及驅動電路。每個所述發光二極管單元包括發光二極管及晶體管。所述發光二極管包括發光二極管層，所述發光二極管層包括III-V族化合物半導體并具有第一側壁及相對于所述第一側壁的第二側壁。所述晶體管包括汲區，所述汲區連接所述發光二極管層的所述第一側壁，其中所述發光二極管層的所述第二側壁不具有所述汲區。所述驅動電路配置來驅動所述多個發光二極管單元。

本公開的一個方面提供了一種制造發光二極管單元的方法，包括：在基材上方形成所述發光二極管單元的發光二極管；和在形成所述發光二極管之后，在所述基材上方形成所述發光二極管單元的晶體管。其中形成所述發光二極管包括在所述基材上生長III-V族化合物半導體。所述晶體管包括連接到所述發光二極管的汲區。

通過以上方案可以使得產品結構更緊湊，更有利于小型化的發展需求。另外，此結構也有利于簡化制造工藝。

附圖說明

為可仔細理解本案以上記載之特征，參照實施態樣可提供簡述如上之本案的更特定描述，一些實施態樣系說明于隨附圖式中。然而，要注意的是，隨附圖式僅說明本案的典型實施態樣并且因此不被視為限制本案的范圍，因為本案可承認其他等效實施態樣。

圖1是示出根據本公開的一些實施例的示例性發光二極管組件的示意圖；

圖2是示出根據本公開的一些實施例的制造發光二極管組件的發光二極管單元的示例性方法的流程圖；和

圖3-28是示出根據本公開的一些實施例的發光二極管單元的制造中的各個階段的示意性截面圖。

然而，應當注意，附圖僅示出了本公開的示例性實施例，并且因此不應被認為是對其范圍的限制，因為本公開可以允許其他等效的實施例。