[發(fā)明專利]一種減少硅污染的多晶料合成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110106448.1 | 申請日： | 2021-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN113005515A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許振華;李勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 威科賽樂微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/42 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 張晨 |
| 地址： | 404040 重慶*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減少 污染 多晶 合成 方法 | ||
1.一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，在將稼容器放入石英管之前，先在稼容器的底部下方放置墊板，所述墊板為高純石英材質(zhì)，在稼容器的容器口上放置相匹配的氮化硼蓋板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述墊板的厚度為1-5mm，所述氮化硼蓋板的厚度為0.5-2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述合成方法具體為：將墊板和氮化硼蓋板分別放置于稼容器的底部和容器口，然后將稼容器推入石英管管尾，在石英管中放入砷容器，對石英管抽真空，焊接密封，采用分段加熱進行多晶料的合成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述稼容器距離石英管尾部的距離為1-10cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，所述分段加熱具體為：先對砷容器所處管段進行加熱，升溫至600-800℃后，對稼容器所處管段進行加熱，升溫至1230-1280℃，保溫反應(yīng)完成后，降至室溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種減少硅污染的多晶料合成方法，其特征在于，在所述分段加熱過程中，保溫反應(yīng)完成后，降溫時砷容器所處管段的溫度保持，稼容器所處管段的溫度以10-40℃/h的速率進行降溫。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于威科賽樂微電子股份有限公司，未經(jīng)威科賽樂微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110106448.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
