[發明專利]一種利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法有效
| 申請號： | 202110104850.6 | 申請日： | 2021-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN112951987B | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 諸葛飛;沈柳楓;胡令祥;張莉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 劉誠午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 信號 憶阻器中 實現 正負 電導 方法 | ||
1.一種利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，所述憶阻器包括底電極層、頂電極層以及位于兩者之間的氧化物層，其中氧化物層包括富氧層和缺氧層，富氧層與頂電極層相鄰，缺氧層與底電極層相鄰，所述方法為通過頂電極層輸入光信號，所述方法包括所述憶阻器通過光信號獲得正向光電導模式或負向光電導模式；
在所述正向光電導模式下，所述光信號為紫外光；
在所述負向光電導模式下，所述光信號為可見光或紅外光；所述的底電極層的材料為金屬或導電氧化物；所述的氧化物層的材料為氧化物，所述的缺氧層的材料為在氬氣氣氛中生長的氧化物，所述的富氧層的材料為在氬氣和氧氣氣氛中生長的氧化物；所述的頂電極層的材料為金、鉑、銅、銀、鋁、鈦或鐵中的一種或多種組合。
2.根據權利要求1所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述的憶阻器還包括襯底，采用鍍膜工藝在襯底上依次形成底電極層、缺氧層、富氧層和頂電極層，所述鍍膜工藝包括熱蒸發、磁控濺射、溶膠凝膠、化學氣相沉積或涂敷法。
3.根據權利要求2所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述襯底為絕緣襯底、半導體襯底或導電襯底，其中：
所述絕緣襯底包括熱氧化硅片、玻璃、陶瓷或塑料；
所述半導體襯底包括硅、氧化物半導體、氮化物半導體或硫化物半導體；
所述導電襯底包括金屬或石墨。
4.根據權利要求1所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，
所述底電極層的厚度為3～250nm。
5.根據權利要求1所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述缺氧層的厚度為10～100nm；
所述富氧層的厚度為5～60nm。
6.根據權利要求5所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述的氧化物為氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化銦錫或氧化銦鎵鋅中的一種或多種組合。
7.根據權利要求1所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，
所述頂電極層的厚度為3～100nm。
8.根據權利要求1所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述的正向光電導模式下，所述光信號為紫外光，波長為250～400nm；
在所述負向光電導模式下，所述光信號為可見光或紅外光，波長為500～1000nm。
9.根據權利要求1-8任一項所述的利用光信號在憶阻器中實現正負光電導的方法，其特征在于，所述底電極層的材料為鉑或金，厚度為50～250nm；氧化物層的材料為氧化銦鎵鋅，其中缺氧層的厚度為30～80nm，富氧層的厚度為10～40nm；頂電極層的材料為金或鉑，厚度為5～20nm。
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