[發(fā)明專利]雙冗余容錯(cuò)高可靠正脈沖和負(fù)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110104820.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112737550A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龐波;趙和平;曾連連;王瑛;王宗民;王平;陳忠貴;汪路元;郭堅(jiān);陶利民;劉欣;徐勇;馮國(guó)平;于敏芳;李文娟;周亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京空間飛行器總體設(shè)計(jì)部 |
| 主分類號(hào): | H03K17/081 | 分類號(hào): | H03K17/081;H03K17/16;H03K17/30;G05B9/03 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人: | 李微微 |
| 地址: | 100094 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 冗余 容錯(cuò) 可靠 脈沖 開(kāi)關(guān) 指令 驅(qū)動(dòng) 裝置 | ||
1.一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,包括兩層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元;
每層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元均包括前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路和后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路;
第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元和第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元中的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路用于將各自的輸入控制信號(hào)進(jìn)行偏置分壓,將電路啟動(dòng)電壓調(diào)整到規(guī)定的電平,當(dāng)輸入控制信號(hào)的電平達(dá)到設(shè)定閾值時(shí)啟動(dòng)后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路,確保輸入端在可靠的電平下才能啟動(dòng)指令脈沖輸出,同時(shí)對(duì)電流進(jìn)行一級(jí)放大,為后級(jí)驅(qū)動(dòng)提供足夠的電流驅(qū)動(dòng)能力;
第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元和第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元中的的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路用于根據(jù)前級(jí)輸出的控制信號(hào)完成對(duì)指令脈沖的開(kāi)關(guān)控制和電流放大,保證后級(jí)輸出的脈沖信號(hào)達(dá)到規(guī)定的電流驅(qū)動(dòng)能力;
第一層和第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元中的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路上下串聯(lián)形成復(fù)合開(kāi)關(guān)電路,第一層開(kāi)關(guān)輸出作為第二層開(kāi)關(guān)輸入,確保在兩層驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)啟動(dòng)時(shí)建立脈沖開(kāi)關(guān)指令信號(hào)的電流通路,完成脈沖信號(hào)的輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元還包括輸入端保護(hù)電路,用于保護(hù)為本裝置的輸入控制信號(hào)免受指令電源的高電壓損傷。
3.如權(quán)利要求1所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,當(dāng)輸出正脈沖指令時(shí),第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T1和電阻R1、R2;第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括PNP型三級(jí)管T2和電阻R3、R4;第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T2和電阻R5、R6;第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括PNP型三級(jí)管T4和電阻R7、R8,其中:
電阻R1一端接本電路的輸入控制信號(hào)后接電阻R2再接地;三級(jí)管T1的基極接到電阻R1和R2之間;三級(jí)管T1的發(fā)射極接地;集電極串接電阻R3和R4后接指令電源;三極管T2的基極接在電阻R3和R4之間,三極管T2的發(fā)射極接指令電源;
電阻R5一端接本電路的輸入控制信號(hào),另一端接電阻R6再接地;三級(jí)管T3的基極接到電阻R5和R6之間;三級(jí)管T3的發(fā)射極接地,集電極串接電阻R7和R8后接指令電源;三極管T4的基極接在電阻R7和R8之間,三極管T4的發(fā)射極接三極管T2的集電極,三極管T4的集電極作為指令脈沖的輸出端。
4.如權(quán)利要求3所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,還包括兩個(gè)分別正向串接在電阻R1和R5與各自輸入控制信號(hào)之間的二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,當(dāng)輸出負(fù)脈沖指令時(shí),第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T1和電阻R1、R2;第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T2及電阻R3;第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T3及電阻R4、R5;第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元的后級(jí)驅(qū)動(dòng)電路包括NPN型三級(jí)管T4及電阻R6,其中:
電阻R1一端接本電路的輸入控制信號(hào)后接電阻R2再接三極管T4的集電極;三級(jí)管T1的基極接到電阻R1和R2之間;三級(jí)管T1的集電極串接電阻R3后接供電電源;三級(jí)管T1的發(fā)射極接三極管T2的基極;三極管T2的發(fā)射極接三極管T4的集電極;三極管T2的集電極作為指令脈沖的輸出端;
電阻R4一端接本電路的輸入控制信號(hào),另一端接電阻R5后再接地;三級(jí)管T3的基極接到電阻R4和R5之間;三級(jí)管T3的發(fā)射極接三極管T4的基極,集電極通過(guò)電阻R6接供電電源;三極管T4的發(fā)射極接指令地。
6.如權(quán)利要求5所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置,其特征在于,還包括兩個(gè)分別正向串接在電阻R1和R4與各自輸入控制信號(hào)之間的二極管。
7.一種基于如權(quán)利要求1-6任意一個(gè)所述的一種雙冗余容錯(cuò)脈沖開(kāi)關(guān)指令驅(qū)動(dòng)裝置的芯片,其特征在于,單個(gè)芯片內(nèi)包含多個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置;所有驅(qū)動(dòng)裝置的第一層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在一個(gè)管芯中,所有驅(qū)動(dòng)裝置的第二層多級(jí)驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在另一個(gè)管芯中。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片,其特征在于,所述芯片采用雙極型SOI工藝;每個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置的電路元件均獨(dú)立設(shè)計(jì)。
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