[發(fā)明專利]一種單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110104547.6 | 申請日: | 2021-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN112895610A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高春;翟建廣;盧惠親 | 申請(專利權(quán))人: | 上海工程技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號: | B32B3/12 | 分類號: | B32B3/12;B32B7/12;B32B27/00;B32B27/06;B32B15/01;B32B15/18;B32B29/00;B32B37/12;B32B38/00 |
| 代理公司: | 上海唯智贏專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31293 | 代理人: | 姜曉艷 |
| 地址: | 201620 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通道 拼接 高分子 復(fù)合 蜂窩 及其 制備 方法 | ||
1.一種單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板,包括上下面板以及設(shè)置在兩者之間的蜂窩夾芯,其特征在于:所述蜂窩夾芯包括能夠相互拼接在一起的多個基體,每個所述基體均包括與其它基體配合的多個凸起和凹口,通過凸起和凹口的配合,形成拼接后的蜂窩結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板,其特征在于:所述基體整體上呈中空的柱狀結(jié)構(gòu),所有的凸起和凹口均設(shè)置在柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上,它們沿柱狀結(jié)構(gòu)的軸向延伸整個側(cè)壁,所述基體的橫截面呈正多邊形,所述正多邊形的各個邊上均設(shè)置有凸起或者凹口,所述凸起向遠離正多邊形的中心方向延伸,所述凹口向靠近正多邊形的中心方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板,其特征在于:所述凸起或者凹口均呈U形結(jié)構(gòu),且其夾角處均采用圓滑過渡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板,其特征在于:所述基體和上下面板均采用熱塑性樹脂材料制成。
5.一種基于權(quán)利要求1所述的單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
步驟一、將多個基體有序地拼接在一起,形成蜂窩夾芯;
步驟二、通過預(yù)浸法制備高分子基纖維復(fù)合板材,作為上下面板;
步驟三、將上下面板使用熱熔膠粘結(jié)到蜂窩夾芯的兩側(cè),完成蜂窩板制備。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單通道拼接式高分子基復(fù)合蜂窩板的制備方法,其特征在于:拼接形成蜂窩夾芯時的溫度設(shè)置為20-30℃。
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B32B 層狀產(chǎn)品,即由扁平的或非扁平的薄層,例如泡沫狀的、蜂窩狀的薄層構(gòu)成的產(chǎn)品
B32B3-00 實質(zhì)上由帶有外部或內(nèi)部不連續(xù)的或不平整的薄層,或非平面形狀的薄層構(gòu)成的層狀產(chǎn)品
B32B3-02 .以特定位置的形狀特征為特征的,如邊緣部位
B32B3-10 .以不連續(xù)的薄層為特征的,即帶孔的或間隔的材料片形成的
B32B3-26 .以連續(xù)薄層的截面的特殊輪廓形狀為特征的;以帶有空穴或內(nèi)部空隙的薄層為特征的
B32B3-28 ..以包含變形薄板的薄層為特征的,如瓦楞薄板、皺紋薄板
B32B3-30 ..以和凹窩或凸塊組成的薄層為特征的,如有凹槽的或帶肋的薄層





