[發(fā)明專利]形成包括釩或銦層的結(jié)構(gòu)的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110103923.X
• 申請(qǐng)日: 2021-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN113284789A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E.J.希羅;M.E.吉文斯;謝琦;C.德澤拉;G.A.弗尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;C23C16/30;C23C16/36;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種形成結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括以下步驟：

將襯底提供至反應(yīng)器的反應(yīng)室內(nèi)；并且

使用循環(huán)沉積工藝，將包含釩和銦中的一種或多種的層沉積至所述襯底的表面上，

其中所述循環(huán)沉積工藝包含：

將釩前體和銦前體中的一種或多種提供至所述反應(yīng)室中；并且

將氧反應(yīng)物、氮反應(yīng)物、硫反應(yīng)物和碳反應(yīng)物中的一種或多種提供至所述反應(yīng)室中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述釩前體包含以下中的一種或多種：鹵化釩、鹵氧化釩、釩有機(jī)金屬化合物和釩金屬有機(jī)化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述銦前體包含以下中的一種或多種：烷基銦化合物、環(huán)戊二烯基銦化合物、β-二酮銦化合物和乙酸銦化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含閾值電壓調(diào)諧層，其包括所述含釩和銦中的一種或多種的層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含p偶極移位器層，其包括所述含釩和銦中的一種或多種的層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含環(huán)柵結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述環(huán)柵結(jié)構(gòu)包括高k介電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述循環(huán)沉積工藝包含循環(huán)化學(xué)氣相沉積工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述循環(huán)沉積工藝包含熱工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含釩和銦中的一種或多種的層的厚度在約0.1nm與約5nm之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述釩前體和銦前體中的一種或多種包含鹵化物并且所述將氧反應(yīng)物、氮反應(yīng)物、硫反應(yīng)物和碳反應(yīng)物中的一種或多種提供至所述反應(yīng)室中的步驟包含提供所述氧反應(yīng)物。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述釩前體包含β-二酮化合物。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)物包含所述氧反應(yīng)物。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含阻隔層，其包括所述含釩和銦中的一種或多種的層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)構(gòu)包含蝕刻終止層，其包括所述含釩和銦中的一種或多種的層。

16.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法形成的結(jié)構(gòu)，其包括含釩和銦中的一種或多種的層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其包含覆蓋在半導(dǎo)體材料上方的高k介電層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的結(jié)構(gòu)，其中所述含釩和銦中的一種或多種的層覆蓋在所述高k介電層上方并與所述高k介電層接觸。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中所述含釩和銦中的一種或多種的層的厚度小于5nm。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，其中所述含釩和銦中的一種或多種的層包含氮化釩和碳氮化釩中的一種或多種。

21.一種環(huán)柵結(jié)構(gòu)，其包含根據(jù)權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的環(huán)柵裝置，其中所述含釩和銦中的一種或多種的層包含氧化釩和氧化銦中的一種或多種。