[發(fā)明專利]恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110103912.1 | 申請日: | 2021-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN114793062A | 公開(公告)日: | 2022-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許哲瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 晶豪科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 徐協(xié)成 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 恒定 時間 降壓 轉(zhuǎn)換器 | ||
1.一種恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器,包含:
第一晶體管,包含:
第一端,用以接收輸入電壓;
第二端,耦接于開關(guān)節(jié)點;及
控制端;
第二晶體管,包含:
第一端,耦接于該開關(guān)節(jié)點;
第二端,耦接于接地端;及
控制端;
驅(qū)動電路,耦接于該第一晶體管的該控制端及該第二晶體管的該控制端,用以控制該第一晶體管及該第二晶體管;
電感,包含:
第一端,耦接于該開關(guān)節(jié)點;及
第二端,耦接于輸出節(jié)點;
第一電阻,包含:
第一端,耦接于該輸出節(jié)點;及
第二端,耦接于反饋節(jié)點;
第二電阻,包含:
第一端,耦接于該反饋節(jié)點;及
第二端,耦接于該接地端;
電容,包含:
第一端,耦接于該輸出節(jié)點;及
第二端,耦接于該接地端;
負載,包含:
第一端,耦接于該輸出節(jié)點;及
第二端,耦接于該接地端;及
反饋控制電路,包含:
第一開關(guān),包含:
第一端,耦接于該反饋節(jié)點;
第二端;及
控制端;
第二開關(guān),包含:
第一端,耦接于該第一開關(guān)的該第二端;
第二端;及
控制端;
誤差放大器,包含:
負輸入端,耦接于該第一開關(guān)的該第二端;
正輸入端,用以接收參考電壓;及
輸出端,耦接于該第二開關(guān)的該第二端,用以輸出誤差信號;
比較器,用以將該誤差信號與該反饋節(jié)點處的反饋電壓進行比較及輸出比較信號;
鎖頻回路電路,用以產(chǎn)生頻率信號;
反相器,包含:
輸入端,耦接于該鎖頻回路電路及該第二開關(guān)的該控制端;及
輸出端,耦接于該第一開關(guān)的該控制端;及
恒定導通時間邏輯電路,用以接收該頻率信號及該比較信號并產(chǎn)生恒定導通時間信號至該驅(qū)動電路。
2.如權(quán)利要求1所述的恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器,其中,該第一開關(guān)及該第二開關(guān)為金屬氧化物半導體場效應晶體管(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor,MOSFET)。
3.如權(quán)利要求1所述的恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器,其中,該第一開關(guān)及該第二開關(guān)為雙極接面晶體管(bipolar junction transistor,BJT)。
4.如權(quán)利要求1所述的恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器,其中,該第一晶體管為P型晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的恒定導通時間降壓轉(zhuǎn)換器,其中,該第二晶體管為N型晶體管。
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的;由機電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





