[發明專利]雙色紅外探測器及其制作方法

在審

• 申請號: 202110103882.4
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112786731A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 黃勇;張立群
• 申請（專利權）人: 蘇州晶歌半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種雙色紅外探測器，其特征在于，包括層疊設置的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器，所述中波長紅外探測器的中波通道吸收層為P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述長波長紅外探測器的長波通道吸收層為P型InAs/GaSb超晶格，所述中波長紅外探測器的中波通道勢壘層和所述長波長紅外探測器的長波通道勢壘層均為N型InPSb/InAs超晶格。

2.根據權利要求1所述的紅外雙色探測器，其特征在于，所述中波長紅外探測器還包括中波通道接觸層、中波通道連接層，所述中波通道吸收層、所述中波通道勢壘層以及所述中波通道連接層依序層疊于所述中波通道接觸層上；

所述長波長紅外探測器還包括：長波通道連接層、長波通道接觸層，所述長波通道連接層、所述長波通道勢壘層、所述長波通道吸收層以及所述長波通道接觸層依序層疊于所述中波通道連接層上；

所述紅外雙色探測器還包括：第一電極和第二電極，所述第一電極設置于所述中波通道接觸層上，所述第二電極設置于所述長波通道接觸層上。

3.根據權利要求1或2所述的雙色紅外探測器，其特征在于，所述中波通道勢壘層的有效帶寬大于所述中波通道吸收層的有效帶寬，且所述中波通道勢壘層的導帶與所述中波通道吸收層的導帶平齊。

4.根據權利要求3所述的雙色紅外探測器，其特征在于，所述長波通道勢壘層的有效帶寬大于所述長波通道吸收層的有效帶寬，且所述長波通道勢壘層的導帶與所述長波通道吸收層的導帶平齊。

5.根據權利要求4所述的雙色紅外探測器，其特征在于，所述中波通道吸收層的有效帶寬大于所述長波通道吸收層的有效帶寬。

6.根據權利要求1和2所述的雙色紅外探測器，其特征在于，所述中波長紅外探測器的中波通道接觸層為P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格，所述中波長紅外探測器的中波通道連接層和所述長波長紅外探測器的長波通道連接層均為N型InPSb/InAs超晶格，所述長波長紅外探測器的長波通道接觸層為P型InAs/GaSb超晶格。

7.一種雙色紅外探測器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在襯底上制作形成層疊的中波長紅外探測器和長波長紅外探測器；

其中，制作形成所述中波長紅外探測器的方法包括：利用P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格制作形成所述中波長紅外探測器的中波通道吸收層，且利用N型InPSb/InAs超晶格制作形成所述中波長紅外探測器的中波通道勢壘層；

其中，制作形成所述長波長紅外探測器的方法包括：利用N型InPSb/InAs超晶格制作形成所述長波長紅外探測器的長波通道勢壘層，且利用P型InAs/GaSb超晶格制作形成所述長波長紅外探測器的長波通道吸收層。