[發(fā)明專利]MicroLED顯示面板及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110103713.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112768434A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范純圣;范世倫
• 申請（專利權(quán)）人: 豪威半導(dǎo)體（上海）有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L25/075;H01L25/16;H01L21/768;G09F9/33
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種MicroLED顯示面板，其特征在于，包括：驅(qū)動晶圓和MicroLED器件；所述驅(qū)動晶圓具有相對的第一表面和第二表面，所述驅(qū)動晶圓臨近所述第一表面的區(qū)域分布有驅(qū)動電路；所述第二表面與所述驅(qū)動電路之間設(shè)置有多個硅通孔，所述硅通孔中填充有互連層；所述MicroLED器件位于所述驅(qū)動晶圓的所述第二表面一側(cè)；所述MicroLED器件通過所述互連層與所述驅(qū)動電路電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述MicroLED器件包括MicroLED晶圓、MicroLED芯片塊或陣列分布的MicroLED芯片粒。

3.如權(quán)利要求2所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動晶圓的所述第二表面與所述MicroLED芯片塊或陣列分布的所述MicroLED芯片粒之間形成有隔離層，所述硅通孔還貫穿所述隔離層。

4.如權(quán)利要求2所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述MicroLED晶圓包括依次位于所述驅(qū)動晶圓的所述第二表面上的生長襯底、Ga基層和外延結(jié)構(gòu)層，所述硅通孔還貫穿所述生長襯底。

5.如權(quán)利要求4所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述生長襯底包括SiC襯底或藍(lán)寶石襯底；所述Ga基層包括N型GaN層或N型GaAs層；所述外延結(jié)構(gòu)層包括量子阱層、P型GaN層或P型GaAs層。

6.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述驅(qū)動晶圓包括驅(qū)動襯底，所述驅(qū)動襯底為(111)晶面的硅襯底。

7.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，還包括：載片晶圓；所述載片晶圓與所述驅(qū)動晶圓的所述第一表面鍵合。

8.如權(quán)利要求7所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，還包括：

絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述載片晶圓遠(yuǎn)離所述驅(qū)動晶圓的一側(cè)表面以及側(cè)壁表面；

引出孔，所述引出孔貫穿所述絕緣層和所述載片晶圓；

引出金屬層，所述引出金屬層填充所述引出孔并與所述驅(qū)動電路電連接。

9.如權(quán)利要求7所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，還包括：

絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述載片晶圓遠(yuǎn)離所述驅(qū)動晶圓的一側(cè)表面以及側(cè)壁表面；

再分布金屬層，所述再分布金屬層覆蓋位于所述載片晶圓側(cè)壁上的所述絕緣層，覆蓋所述載片晶圓遠(yuǎn)離所述驅(qū)動晶圓的一側(cè)兩端的所述絕緣層，以及覆蓋所述驅(qū)動晶圓的所述第一表面上所述載片晶圓周側(cè)的表面，位于所述第一表面上的所述再分布金屬層與所述驅(qū)動電路電連接。

10.如權(quán)利要求7所述的MicroLED顯示面板，其特征在于，所述載片晶圓的材質(zhì)包括Si、Al₂O₃、AlN、PCB、Cu或石墨烯中的至少一種。

11.一種MicroLED顯示面板的形成方法，其特征在于，包括：

提供驅(qū)動晶圓，所述驅(qū)動晶圓具有相對的第一表面和第二表面，所述驅(qū)動晶圓臨近所述第一表面的區(qū)域分布有驅(qū)動電路；

形成多個硅通孔，所述硅通孔從所述第二表面貫穿部分厚度的所述驅(qū)動晶圓，所述硅通孔位于所述驅(qū)動電路上方；

形成互連層，所述互連層填充所述硅通孔并與所述驅(qū)動電路電連接；

形成MicroLED器件，所述MicroLED器件位于所述驅(qū)動晶圓的所述第二表面一側(cè)；所述MicroLED器件與所述互連層電連接。