[發明專利]鍺基鈣鈦礦光電材料、應用、制備方法和器件及制備方法有效
| 申請號: | 202110103577.5 | 申請日: | 2021-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN112993198B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 楊得鑫;狄大衛 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 楊舟濤 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍺基鈣鈦礦 光電 材料 應用 制備 方法 器件 | ||
1.一種鍺基鈣鈦礦光電材料,其特征在于:為一種發光層材料,其結構為 A’2(AMX3)n-1MX4;其中n∈[1,∞),其中A’為PEA、PBA、OAm、TEA或PMA;A為Cs、EA、FA或MA,M為B1-yGey,其中B為Pb、Sn、Mn、Zn、Cd、Co、Cu或Ni,X為Cl、Br、或I。
2.根據權利要求1所述的一種鍺基鈣鈦礦光電材料,其特征在于:所述的發光層材料為:
PEA2(CsPb0.9Ge0.1 Br3)2Pb0.9Ge0.1 Br4。
3.根據權利要求1所述的一種鍺基鈣鈦礦光電材料,其特征在于:所述的發光層材料為:AB1-yGeyX3;其中n為無窮大。
4.根據權利要求1所述的一種鍺基鈣鈦礦光電材料,其特征在于:所述的發光層材料的結構為:2維,3維,量子點或準二維結構。
5.根據權利要求1所述的一種鍺基鈣鈦礦光電材料的應用,其特征在于:一種鍺基鈣鈦礦光電材料應用于多種光電器件方面,包括太陽能電池、發光二極管、探測器、熒光薄膜、熒光粉、半導體晶體管或激光電子器件及其材料方面。
6.根據權利要求1所述的一種鍺基鈣鈦礦光電材料的制備方法,其特征在于:采用熱蒸鍍、磁控濺射、MOCVD、ALD、噴涂、印刷、溶液旋涂法或真空煅燒法制備。
7.一種鍺基鈣鈦礦光電器件,其特征在于:包括電極、空穴傳輸層/注入層、電子傳輸層/注入層和發光層;其結構為從一端到另一端依次為:陰極、電子傳輸/注入層、發光層/光吸收層、空穴傳輸/注入層、陽極;其中所述的發光層為A’2(AMX3)n-1MX4;其中n∈[1,∞),其中A’為PEA、PBA、OAm、TEA或PMA;A為Cs、EA、FA或MA,M為B1-yGey,其中B為Pb、Sn、Mn、Zn、Cd、Co、Cu或Ni,X為Cl、Br、或I。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





