[發明專利]用于檢查圖案缺陷的方法

在審

• 申請號: 202110102885.6
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113053764A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 陳儒瑩;李哲言;張家峰;林華泰;黃得智;孫啟元;黃建元
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 朱亦林

1.一種用于檢查圖案缺陷的方法，所述方法包括：

在底層之上形成多個圖案，所述多個圖案彼此電隔離；

用電子束掃描所述多個圖案的一部分以對所述多個圖案進行充電；

獲得從所述多個圖案的經掃描部分發射的二次電子的強度；以及

搜索所述多個圖案中的顯示出與所述多個圖案中的其他圖案不同的二次電子的強度的一個或多個圖案。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個圖案包括線和間隔圖案，所述線和間隔圖案具有彼此間隔開設置的多個線圖案。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述多個線圖案是導電的，并且所述底層是絕緣的。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述多個線圖案與所述底層相比更導電。

5.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述多個圖案包括缺陷，該缺陷為斷線圖案，并且

在掃描所述多個圖案的所述一部分期間，所述電子束不掃描所述缺陷。

6.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述多個圖案包括缺陷，該缺陷為相鄰線圖案的橋接，并且

在掃描所述多個圖案的所述一部分期間，所述電子束不掃描所述缺陷。

7.根據權利要求2所述的方法，其中，當所述多個線圖案中的每個線圖案的整體長度是A1時，所述多個圖案的所述一部分沿著所述多個線圖案延伸的方向的長度A2在A1的1％到20％的范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：當找到所述多個圖案中的顯示出與所述多個圖案中的其他圖案不同的二次電子的強度的一個圖案時，獲得所述多個圖案中的所述一個圖案的位置。

9.一種用于檢查圖案缺陷的方法，所述方法包括：

在底層之上形成多組多個圖案，所述多個圖案彼此電隔離；

用電子束掃描第一組多個圖案的一部分以找到缺陷；

獲得從所述第一組多個圖案的經掃描部分發射的二次電子的強度；

搜索所述第一組中的所述多個圖案中顯示出與所述第一組中的所述多個圖案中的其他圖案不同的二次電子的強度的一個或多個圖案；

當找到所述多個圖案中顯示出與所述多個圖案中的其他圖案不同的二次電子的強度的一個圖案時，獲得所述多個圖案中的所述一個圖案的位置；以及

用所述電子束掃描第二組多個圖案的一部分以找到缺陷。

10.一種用于檢測缺陷的測試器件，包括：

底層，設置在襯底之上；

多個線圖案，設置在所述底層之上并且彼此電隔離，

其中，所述多個線圖案與所述底層相比更導電，并且

所述多個線圖案包括作為斷線圖案的缺陷、或作為相鄰線圖案的橋接的缺陷中的至少一者。