[發明專利]半導體設備封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202110102215.4
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN114050132A
• 公開（公告）日: 2022-02-15
• 發明（設計）人: 田興國;李志成
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/16;H01L21/56;H01L23/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體設備封裝，其包括：

第一導電結構，其包括：

襯底；以及

安置在所述襯底上的第一電路層，其中所述第一電路層包括導電布線圖案，且所述導電布線圖案是所述第一電路層的最上部導電圖案；

安置在所述第一導電結構上的應力緩沖結構；以及

安置在所述應力緩沖結構上方的第二導電結構，

其中所述導電布線圖案延伸穿過所述應力緩沖結構且電連接到所述第二導電結構，并且所述導電布線圖案的上表面與所述應力緩沖結構的上表面大體上共平面。

2.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述第一導電結構進一步包括上部介電層，所述導電布線圖案包括延伸穿過所述上部介電層的通孔部分，以及延伸穿過所述應力緩沖結構的襯墊部分，所述襯墊部分的邊緣從所述通孔部分的邊緣突出，且所述襯墊部分的上表面與所述應力緩沖結構的上表面大體上共平面。

3.根據權利要求2所述的半導體設備封裝，其中所述襯墊部分的底表面與所述應力緩沖結構的底表面大體上共平面。

4.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述導電布線圖案包括均延伸穿過所述應力緩沖結構的通孔部分和襯墊部分，所述襯墊部分的邊緣從所述通孔部分的邊緣突出，且所述襯墊部分的上表面與所述應力緩沖結構的上表面大體上共平面。

5.根據權利要求4所述的半導體設備封裝，其中所述應力緩沖結構包括環繞所述通孔部分的所述邊緣的第一應力緩沖層，以及環繞所述襯墊部分的所述邊緣的第二應力緩沖層。

6.根據權利要求5所述的半導體設備封裝，其中所述第一應力緩沖層的熱膨脹系數在所述第一導電結構的熱膨脹系數和所述第二應力緩沖層的熱膨脹系數之間，且所述第二應力緩沖層的熱膨脹系數在所述第一應力緩沖層和所述第二導電結構的所述熱膨脹系數之間。

7.根據權利要求5所述的半導體設備封裝，其中所述第二應力緩沖層比所述襯墊部分軟。

8.根據權利要求4所述的半導體設備封裝，其中所述襯墊部分的所述上表面和所述應力緩沖結構的所述上表面之間的高度差小于或等于4微米。

9.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其中所述第二導電結構包括通過所述導電布線圖案電連接到所述第一電路層的第二電路層，其中所述第一電路層包括襯底級電路層，且所述第二電路層包括凸塊級電路層。

10.根據權利要求9所述的半導體設備封裝，其中所述第二電路層包括安置在所述應力緩沖結構上的鈍化層，以及穿過所述鈍化層的多個導電通孔，并且其中所述導電通孔中的至少兩個連接到所述導電布線圖案。

11.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其進一步包括至少一個電子組件，所述電子組件嵌入在所述襯底中且通過所述第一電路層電連接到所述第二導電結構。

12.根據權利要求1所述的半導體設備封裝，其進一步包括覆蓋所述導電布線圖案的底表面的晶種層。

13.一種半導體設備封裝，其包括：

第一導電結構，其包括：

襯底；以及

安置在所述襯底上的第一電路層，其中所述第一電路層包括導電布線圖案；

安置在所述第一導電結構上的應力緩沖結構；以及

安置在所述應力緩沖結構上方的第二導電結構，

其中所述導電布線圖案包括通孔部分，以及安置在所述應力緩沖結構上的襯墊部分，所述通孔部分包含被所述應力緩沖結構環繞的邊緣，且所述襯墊部分的上表面和所述應力緩沖結構的上表面之間的高度差小于或等于4微米。

14.根據權利要求13所述的半導體設備封裝，其中所述通孔部分的上表面低于所述應力緩沖結構的所述上表面。