[發明專利]半導體元件及其制作方法

在審

• 申請號: 202110102212.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN114792703A
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 陳緯;王慧琳
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：

(a)形成第一固定層于基底上；

(b)形成第一間隔層于該第一固定層上；以及

重復進行步驟(a)以及步驟(b)。

2.如權利要求1所述的方法，另包含：

形成第二固定層于該第一間隔層上；

形成第二間隔層于該第二固定層上；

形成第三固定層于該第二間隔層上；

形成第三間隔層于該第三固定層上；

形成參考層于該第三間隔層上；

形成阻障層于該參考層上；以及

形成自由層于該阻障層上。

3.如權利要求1所述的方法，其中該第一固定層是選自由鈷以及鉑所構成的群組。

4.如權利要求1所述的方法，其中該第一固定層是選自由鈷以及鈀所構成的群組。

5.如權利要求1所述的方法，其中該第一固定層是選自由鈷以及銥所構成的群組。

6.如權利要求1所述的方法，其中該第一固定層是選自由鈷以及鎳所構成的群組。

7.如權利要求1所述的方法，其中該第一間隔層是選自由釕、銥以及銠所構成的群組。

8.一種半導體元件，其特征在于，包含：

合成反鐵磁層，設于基底上，其中該合成反鐵磁層包含：

第一固定層；

第一間隔層，設于該第一固定層上；

第二固定層，設于第一間隔層上；

第二間隔層，設于該第二固定層上；以及

參考層，設于該第二間隔層上。

9.如權利要求8所述的半導體元件，另包含：

第三固定層，設于該第二間隔層上；以及

第三間隔層，設于該第三固定層上。

10.如權利要求8所述的半導體元件，另包含：

阻障層，設于該合成反鐵磁層上；以及

自由層，設于該阻障層上。

11.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一固定層是選自由鈷以及鉑所構成的群組。

12.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一固定層是選自由鈷以及鈀所構成的群組。

13.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一固定層是選自由鈷以及銥所構成的群組。

14.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一固定層是選自由鈷以及鎳所構成的群組。

15.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一間隔層是選自由釕、銥以及銠所構成的群組。