[發明專利]集成電路結構和形成集成電路結構的方法

在審

• 申請號: 202110102099.6
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113889469A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 陳建源;謝豪泰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路結構，包括：

第一晶體管，包括：

第一有源區域；以及

第一柵極，安置在所述第一有源區域上，其中，所述第一柵極沿平行于所述第一有源區域的縱向方向的第一方向具有第一有效柵極長度；以及

第二晶體管，包括：

第二有源區域；以及

第二柵極，安置在所述第二有源區域上，并且所述第二晶體管包括沿所述第一方向布置并且彼此分離的多個柵極結構，其中，所述第二柵極沿所述第一方向具有第二有效柵極長度，所述第二有效柵極長度是所述第一有效柵極長度的n倍，并且n為大于1的正整數。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二柵極的所述柵極結構電連接至同一電壓節點。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述柵極結構的每一個具有與所述第一有效柵極長度基本上相同的柵極長度，并且其中，所述柵極結構的數量為n。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二晶體管還包括多個柵極間隔件，鄰近于所述第二柵極的所述柵極結構的每一個的相對側壁。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二晶體管還包括在所述第二有源區域中的多個源極/漏極區域，所述源極/漏極區域分別鄰近于所述第二柵極的所述柵極結構的最外面的兩個，并且所述第二有源區域的位于所述第二柵極的所述柵極結構中的所述最外面的兩個之間的部分的摻雜劑濃度低于所述源極/漏極區域的摻雜劑濃度。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第二柵極的第一組所述柵極結構具有第一柵極長度，所述第一柵極長度是所述第一有效柵極長度的m倍，第二組所述柵極結構具有第二柵極長度，所述第二柵極長度是所述第一有效柵極長度的o倍，其中，m和o為不同的正整數。

7.根據權利要求6所述的集成電路結構，其中，沿所述第一方向，所述第一組所述柵極結構不位于所述第二組的所述柵極結構的相鄰兩個之間。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一有效柵極長度是所述集成電路結構中的最小柵極長度。

9.一種集成電路結構，包括：

第一晶體管，包括：

第一有源區域和第二有源區域，由隔離結構分隔，其中，所述第一有源區域和所述第二有源區域沿第一方向延伸；

柵極，具有分別安置在所述第一有源區域和所述第二有源區域上的多個柵極結構，其中，沿所述第一方向，所述柵極的有效柵極長度是所述第一晶體管的技術節點的臨界尺寸的n倍，并且n為正整數并且大于1；

多個柵極間隔件，鄰近于所述柵極的所述柵極結構的每個；以及

第一源極/漏極區域，位于所述第一有源區域中；以及

第二源極/漏極區域，位于所述第二有源區域中；以及

第二晶體管，具有基本上等于所述第一晶體管的所述技術節點的所述臨界尺寸的柵極長度。

10.一種形成集成電路結構的方法，包括：

在襯底上方形成沿第一方向延伸的第一有源區域和第二有源區域，其中，所述第一有源區域和所述第二有源區域由隔離結構分離；

在所述第一有源區域上方形成第一柵極結構；

在所述第二有源區域上方形成多個第二柵極結構，其中，沿所述第一方向，所述第二柵極結構的柵極長度之和是所述第一柵極結構的柵極長度的n倍，并且n為正整數并且大于1；

在所述第一有源區域中形成第一源極/漏極區域；以及

在所述第二有源區域中形成第二源極/漏極區域，其中，所述第二有源區域的位于兩個相鄰的第二柵極結構之間的部分的摻雜劑濃度低于所述第二源極/漏極區域的摻雜劑濃度。